Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии Алтухов Андрей Александрович

Данный автореферат диссертации должен поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - 240 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Алтухов Андрей Александрович. Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06, 05.11.14.- Москва, 2005.- 174 с.: ил. РГБ ОД, 61 05-5/3835

Похожие диссертации на Разработка и исследование физико-технологических принципов создания микроэлектронных устройств на основе планарных многослойных гетероэпитаксиальных структур Si, CaF2 и CoSi2, сформированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Разработка и исследование технологических параметров процесса эпитаксии твердых растворов AIIIN методом молекулярно-лучевой эпитаксии для интегральных газовых сенсоровЗалозный, Александр Николаевич

Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных слоев кремния Р-типа проводимости для базовых областей мощных высоковольтных транзисторов методом жидкофазной эпитаксииМоргунов, Игорь Викторович

Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структурЕрмошин Иван Геннадьевич

Разработка процесса формирования структур с множественными квантовыми ямами для многоэлементных фотоприемников ИК-диапазона методом МОС-гидридной эпитаксииЗалевский, Игорь Дмитриевич

Исследование и разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии нитрида галлияМармалюк, Александр Анатольевич

Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нем теплофизических и физико-механических процессовМиркурбанов Халит Абдулгазизович

Основы создания и применения полупроводниковых элементов и микроэлектронных устройств интегральной теплоэлектроникиГромов Вячеслав Сергеевич

Физико-технические основы создания оптимизированных высоковакуумных магниторазрядных насосов, герметизирующих элементов и устройств для вакуумного технологического и аналитического оборудования электронной техникиКурбатов Олег Константинович

Получение композиционных материалов с использованием фотохромных и светоизлучающих соединений и применение многослойных структур на их основе в устройствах хранения и обработки информацииГребенников, Евгений Петрович

Исследование полосково-щелевых структур и разработка устройств на их основеЛи Ден Мок