Введение к работе
Актуальность темы. Исследование локальных свойств монокристаллических полупроводников - одно из важных направлений современней физической электроники. Решение этой задачи только традиционными методами (зендовыми, оптическими и др.), как лреЕтмо, ограничено их низким пространственным разрешением. Поэтому весьма актуальна разработка новых методов исследования твердых тел с большой информативностью и высоким пространственным разрешением.
Растровая электронная микроскопия (РЭМ) - один йэ наиболее локальных методов исследования твердых тел. Ккогообразаы фгаичеи-кие явления, которые используются для формирования изображения в РЭМ с высоким пространственным разрешением. Для изучения дефэктоа и измерения локальных параметров полупроводников часто исполь-з,гется либо ток, шщуцированный электронным зондом РЭМ (наведенный ток), либо катодолтдоесцентное излучение. Оба метода имевг-много общего, гак как информативный сигнал обусловлен процессами генерирования и рекомбинации электронно-дырочных пар или неравновесных носителей заряда (НЮ). Однако наведенный ток (НТ) возникает при разделении генерированных электронно-дырочных пар электрическим полем (поле барьера Шсітки, р-п, перехода, микродефектов и т.п.), а катодолшивестданция (КЛ) - при их излучательной рекомбинации. Процессы же генерации ННЗ г их диффузии, одинаковы и их носбходамо знать для количественного описания обоих ревимсв, до-поднящвх друг друга при проведении практических исследований полупроводников.
Основнгя цель работа - развита» колпчєстеє-нннх кето; локального анализз полупровэднгпсозьгх кзтерпалоз микрсэлегтрснг к вменение пфоркзтиЕных возжмаостей этих методов пргтмэнктэл!: к пирокому классу краетол-тіческих полуїгроводннковнх материал (кремний, арсеннд гєдлпя, теллурпд кад>,5:я, арсекйд индия).
гіаучнея новигкз - выявление физических захокомёрност фор.\кровакая сигнала КГ ка кккродзфсктах сазупрсі.одникос материала, изучение особенностей форгягровааая сигнала ХЛ п JiC следованиях гдя:/.оаснннх полупроводников а развитие чвчох локального анализа конохрпсталличзских полупроводников.
-
Проведена расчета зависимости контраста Ш объемных ш: рсдефектов от энергии элзктронс?. пучка для оснознсго материа полупроводниковой ь^нкроэлзктрснихк — :.;онскрнеталлпчес:сого кре кия. Рассмотрены вог:.'.сг;-:оотк данного :.;зтод^ диагностики при опр делении характерна параметров кпсрсде-фэктоз.
-
Пр;і проведений количественных расчетов предложено 'испод аовать 'укпверсзльнуй функцій ссьеккого распределения знергетпче :г.сс потерь киловольтних электронов, полученную на основе уч~е вклада процессов многократного к однократного рассеяния електр
, коз. Физхческк более обоснованно проведено построение функц генерации, а яолученнке с.ее использованием результаты примоки практически для всех-материалов от углерода до аолота.
- о. Проведены расчеты зависимости интенсивности монохромат ческой КЛ ст энергии электронов пучка в условиях НИЗКОГО К ВЫС кого уровня возбуждения. .Рассмотрен случай, когда Еклады лкнейн к квадратичной рекомбинации сопоставима. Использование предлаг емой математической модели позволяет объяснить некоторые зкепер ментальные результаты, в физической интерпретации которых ран
имелась затруднения.
Практическая ценность работы заключается в tow что рэавкт-'в «метода контроля локальных параметров когокрхсталзкчзсккх гголупро-водкисов "сгут с&ть «использована- для. диагностика пол*упроводникс~ внх материалов современной одто- z .тахроэлехтрояккк.
Оскдзкке ззкздаегазтадолен.ія.
t. СсізическіЙ мехгпкз... и :и$ор«атавные- всгігахкостк метода диапюст^и їсародзфзктоз кококрксталлхческого крз:.таія по завиккоетй кс«ятрзс?а іаетодефекта в рзгіклз ЕГ ст знергкж электроноз,. пучка..
-
Модель универсальной- фуакцка объемного-, распре де лекля гквргездоескгх потерь к&яоеольгніїх электронов в твердом тедз и е.о «С5сру.этквк«е возможное?:: ігр:і провэдент: количественных расчетов»
-
СйзхческхГ: механизм- it. кфэр.\.ат:1Екые- возможности метода оцредолмшя здектрофязячвеккх параметров пря...озсншх полупровод-ежовых ютэразлоз по згв:іс;г.;ост;« кнтексквкости монохроматической. КЛ от. з.:орг:ді электронов пучка.
Аяробзшія.работа:, основные результата,, жзлепеннкэ з даесер-тацконяой работе„ докладазалхсь і: обсу-кдзлхсь. ка ТО. Всесоюзном сіхздіозхуие по растровой, электронной, микроскоп», и еаалитячесхам метода:.:- «гесдидованкл- твердых тел. "P3U - S!" (Г;Звеіп.город. 1931?.,) ь а такгэ. ка-научных. семкг.эрах, кафедры физической электроники- Фгзкческого: <г«чудьтетз;мГог сі.М.З.Ломоносова.
Пубжкзіуа. По материалам- дяссертызязнкой работы 'опубліковано. Є печатных: работ:. 4, стать:: к 2 тезясов доклэдоз.
Структура диссертант. Диссертация состоит из введс-кия. трех глаз,, .вііеодоз., прилокения. с:діск литературы. Она содержит 157 страниц текста.. 45 рисунков... 2-;" ґаблищ, л. список- літератури ка 17.
- 6 - . '
страницах, включающий 134 наименования.
