Введение к работе
І і-до-і
І ДиссертдциД І
Актуальность тепы.
Ионные потоки и эффекты их взаимодействия с поверхностью широко используются в различных областях нвуки и техшпш с целью модификации свойств поверхности (ионное травление, ионное легирование) и анализа атомной и электронной структуры (обратное резер-фордовское рассеяние, ионная Оже-спектроскопия и др.). Новый аспект использования ионов, интенсивно разрабатываемый в последнее время,- ионная стимуляция процессов на поверхности, в частности, роста пленок с цельв управления их структурой и свойствами.
До недавнего времени в этих применениях ориентировались на упругое взаимодействие ионов с поверхностью. В последнее время было показано, что существенно более результативними (во многих случаях более. чем на порядок) в этом отношении могут Сыть эффекты неупругого взаимодействия, которые реализуются при определенном подборе пар ион-поверхность и интервалов изменения параметров ионного облучения. Поэтому исследование закономерностей резонансной перезарядки попов на поверхности, выявление особенностей и механизма обусловленных ею явлений - дефзктообразоваяия, ионной стимуляции роста пленок - являются весьма актуальными, равно как и развитие метода диагностики сугубо поверхностных дефектов, играющих важную роль в процессах ионной стимуляции.
Органические молекулы, в частности молекула кидких кристаллов, является объектами непосредственного интереса нового направления в микроэлектронике - молекулярной электроники.
Основной целью данной работы является
1) теоретическое рассмотрение
ионно-
резонансной перезарядки ионов на поверхности ковалентних кристаллов и молекулярных объектах,
- сопровождающих этот процесс явлений дефзктообразования на поверхности и деструкции молекул;
тонких
2) объяснение закономерностей ионно-стимулированного роста
пленок на поверхности диэлектриков;
3) разработка, основ даагностшш дефектной структура поверхности го энергетическим спектрам рассеянных ионов (Е<1000 эВ). В сочетании с методами ионной стадояциа различных процессов на поверхности такой метод контроля поверхности явился бы важным звеном с точки прения интеграции технологии.
Научная новизна и практическая ценность работы.
В работе впервые дано объяснение закономерностям ионно-сти-цулированной конденсации и эпатаксии, проявляющимся в специі{ячас-ких немонотонных зависимостях зф±вкта лонной стимуляции от пара-кетров ионного облучения, что должно быть положено в основу конных и ионно-пдазменных методов получения тонких пленок с заданными свойствами.
Впервые предложена модель деструкции многоатомных органических молэкул, происходящей в результате перезарядки ионов на шлекулах.
Впервые дано объяснение' существенно разлачащимся закономерностям ионво-стнмулированной десорОщш с поверхности иоьшо-ковалентных кристаллов А12з и MgO.
Разработаны физические основы метода диагностики существенно поверхностных дефектов, основанного на анализе энергетических спектров рассеянных ионов.
Публикации и апробация работы. Результаты работа над диссертацией отражены -в пята публикациях, докладывались и обсуждались на:
1. Всесоюзной конференции "Взаимодействие атомных частиц и электромагнитного излучения с твердым телом" (г. Таажент 1989 г)
'2. П Всесоюной- конференции "Взаимодействие атоиліх частиц с твердым телом" (г. Іїосква, 1991 г.)
3. Первой республиканской конференции галодых ученых и студентов !г. Алма-Ата, IS6I г.)
4 X Всесоюзной конференции "Взаимодействие иовов с поверхностью" ( г. Звенигород, 1591 г)
5. XVI семинаре "Радиационная <изкка полупроводников" (г. Новосибирск, 1992 г.)
Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, пята глав, выводов, списка цитируемой литературы и приложения.
