Физико-технологические особенности многокомпонентных полупроводниковых арсенидов Сихарулидзе, Гурам Афрасионович

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Сихарулидзе, Гурам Афрасионович. Физико-технологические особенности многокомпонентных полупроводниковых арсенидов : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.02.07.- Тбилиси, 1994.- 7 с.: ил.

Похожие диссертации на Физико-технологические особенности многокомпонентных полупроводниковых арсенидов

Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлияКомарницкая, Елена Александровна

Особенности ионно-плазменного травления арсенида галлия и фосфида индия применительно к элементам твердотельной электроники Кушхов Аскер Русланович

Особенности формирования дислокационной структуры в промышленных монокристаллах арсенида и фосфида галлия большого диаметраГончарова Наталья Вячеславовна

Особенности формирования структурных дефектов в полупроводниках A2B6, кремнии, германии и арсениде галлия с учетом влияния энергии дефекта упаковкиМозжерин, Александр Владимирович

Физико-технологические основы травления арсенида галлия в низкотемпературной химически активной плазме магнетронного разряда при производстве изделий электронной техникиБеневоленский, Сергей Борисович

Физико-химические условия устойчивости легированных марганцем нанослоев арсенида галлия и его изоэлектронных аналоговТерентьева, Юлия Владимировна

Физико-топологическое моделирование характеристик субмикронных полевых транзисторов на арсениде галлия с учетом радиационных эффектов Оболенский Сергей Владимирович

Физико-химические процессы при формировании активных структур на поверхности арсенида галлия и их оптический контроль при создании интегральных схемБухалов, Лев Леонидович

Эффект фотопьезоэлектрического индуцирования упругих колебаний в высокоомных монокристаллах арсенида галлияРуденко Анатолий Александрович

Спектроскопия электронных состояний и неравновесных носителей заряда в низкоразмерных гетероструктурах на основе арсенида галлияГапонова Дария Михайловна