Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Особенности электронной структуры квазидвумерных медных оксидов Сидоров, Михаил Александрович

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Сидоров, Михаил Александрович. Особенности электронной структуры квазидвумерных медных оксидов : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Урал. гос. ун-т им. А. М. Горького.- Екатеринбург, 1996.- 20 с.: ил. РГБ ОД, 9 97-1/3966-5

Введение к работе

Актуальность темы. Исследование природы феномена высокотемпературной сверхпроводимости является одной из наиболее актуальных задач современной физики. Можно смело утверждать, что ни одна группа соединений не подвергалась столь детальным экспериментальным исследованиям и не стимулировала появление такого числа самых разных физических идей, как ВТСП. Однако, несмотря на суще л'венный прогресс, достигнутый в понимании отдельных механизмов, лежащих в основе явления ВТСП, теория, последовательно описывающая фазовую диаграмму высокотемпературных сверхпроводников, так и не была создана. Подход, основанный на традиционной теории ферми-жидкости Ландау, неспособен интерпретировать аномальные физические свойства нормального состояния, например температурные зависимости кинетических коэффициентов. Различные многочисленные модификации фер-ми-жидкостнон модели, феноменологически определяя спектр возбуждений электронной системы, в принципе позволяют объяснить отдельные особенности нормального состояния ВТСП, однако обоснование известных на настоящий момент моделей, включая и d^ ... - спаривание,

по-видимому требует не меньших усилий, чем собственно построение теории ВТСП.

Альтернативным подходом к проблеме ВТСП является теория квантового решеточного бозе-газа (QLG), основанная на модели локального спаривания. Ряду исследователей она представляется более перспективной, поскольку, многие аномальные свойства ВТСП получают в этой модели естественное объяснение. Существенным недостатком этого подхода является отсутствие законченной теории локального спаривания для медь-кислородных ВТСП.

Подавляющее большинство предлагаемых моделей так или иначе вписывается в один из этих подходов. К сожалению, сложность исследуемых систем, состояние которых определяется межэлектронными корреляциями, антиферромагнитными флюктуациями, дефектам^ возникшими при допировании, как правило не позволяет, интерпретируя экспериментальные факты, подтвердить или опровергнуть конкретную модель высокотемпературной сверхпроводимости, что и является причиной существования большого числа различных теоретических моделей ВТСП.

Целью настоящей работы является исследование особенностей электронной структуры Си02 - плоскости в медь-кислородных ВТСП-

системах, основанное на анализе влияния корреляционных эффектов и допирования на спектр и состояния основного элемента кристаллической и электронной структуры купратного слоя - кластера Си()А. Проведенный анализ, в частности, касался проблемы описания электронного кулоновского взаимодействия на ограниченном базисе атомных состояний и введения корреляционных поправок к функциям Хартри-Фока. а также исследования влияния вибронных взаимодействий на электронную структуру СиО^ - и СиО*' - кластеров.

Для выполнения исследования были определены следующие задачи: Разработка полуэмпирических методов, позволяющих получить качественную и полу количественную картину энергетического спектра и структуры сильно коррелированной электронной системы кластеров СиО\~ и С\Ю\ (соответственно допированный и недо-

лированный комплекс).

Исследование вырождения и устойчивости электронной структуры относительно изменения параметров межэлектронного взаимодействия.

Изучение связанных с межэлектронными и вибронными взаимодействиями особенностей оптических спектров поглощения, влияния допирования на спектр поглощения в среднем ИК-диапазоне (MIR), спектров XPS, проведение сравнения с экспериментальными данными и альтернативными подходами.

Анализ влияния (псевдо-)эффекта Яна-Теллера на электронную структуру СиО^ - кластера с различной степенью допирования.

Рассмотрение возможности участия корреляционных эффектов в механизмах образования локальных бозонов.

Научная новизна работы 1. Предложена новая концепция электронной структуры кластеров СиО% и CuOt~, основанная на известных квантово-химических методах

МО-ЛКАО и схеме конфигурационного взаимодействия. Исследуемая модель отличается от предшествующих, в частности, учетом полного

набора 0- состояний, что позволило установить квазивырождение основного состояния кластера СиОІ', и определить роль вибронных

взаимодействий в формировании электронной структуры допированных ВТСП-составов.

  1. Рассмотрена теоретическая модель многоэлектронной ато- іной системы с нежесткими орбиталями, позволяющая учесть корреляционные поправки к состояниям Хартри-Фока;

  2. Дан анализ теории вибронных взаимодействий в многоэлектронных системах, в частности, в системах с нежестким атомным базисом;

  3. Развита модель полярного ян-теллеровского центра [Си045"] - элемента электронной структуры допированного купратного слоя СиОг;

  4. Предложена модель локального спаривания электронов с образованием S-бозона на полярном ЯТ-центре, рассмотрены свойства электронного ЯТ-центра [Ск047_] = [СиОН +5-бозон;

  5. Введена модель образования зародышей фазы полярных центров с S-бозонной жидкостью, способной образовывать конденсат - сверхпроводящую фазу;

L Дано объяснение ряда физических свойств оксида меди СгЮ - простейшего ВТСП- подобного соединения с позиций образования зародышей новой фазы полярных ЯТ-центров.

Практическая значимость работы

Полученные теоретические результаты и их анализ расширяют представление о физической природе явления высокотемпературной сверхпроводимости, позволяют углубить понимание влияния корреляционных эффектов, охватывающих межэлектронные и вибронные взаимодействия на электронную структуру медь-кислородных ВТСП. Введенные модели не требуют громоздких численных расчетов и опираются на ясные физические представления, отражая качественные особенности электронной системы ВТСП. Развитые схемы могут быть полезными при интерпретации различных физических свойств медь-кислородных ВТСП в нормальной и сверхпроводящей фазах. Предложенная модель локального спаривания позволяет применить теорию квантового решеточного бозс-газа к исследованию сверхпроводящего перехода и к описанию изменений основного состояния ВТСП при допировании.

На защиту выносятся следующие положения и результаты

1. Кластерная модель электронной структуры комплексов СЮ]~ и

CuOl~, учитывающая внешние валентные состояния ионов меди и кислорода и межэлектронные взаимодействия.

  1. Модель нежестких атомных оболочек, описывающая корреляционные поправки к состояниям Хартри-Фока, рассмотрение влияния данного эффекта на электронную структуру кластера СиОА.

  2. Описание полярных ян-теллеровских центров JCwqH и \СиО] ] .

включающие концепцию локального спаривания на полярном ЯТ-центре с образованием S-бозона.

Интерпретация особенностей спектра оптического поглощения в среднем ИК-диапазоне для оксида меди СиО.

Апробация работы Материалы диссертации докладывались на международной конференции Congress Ampere (г. Казань 1994), международном симпозиуме Коуровка-94, конференции ICM-94, Европейской конференции по электронным системам с сильными корреляциями (Poland-94), Международной конференции по магнетизму МКМ-94 (Варшава, Польша-94), школе-симпозиуме по теоретической физике Коуровка-96.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных выводов и библиографического списка, содержащего 160 наименований.. Материал изложен на 130 страницах, содержит 33 рисунка и 7 таблиц.