Введение к работе
АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ:
Сегнетоэлектрические фазовые переходы и связанные с ними аномалии привлекают повышенный интерес исследователей поскольку физические свойства сегнетоэлектриков имеют большую практическую значимость. В настоящее время особое значение приобретает изучение влияния дефектов на физические свойства сегнетоэлектриков и фазовые переходы в них, способы модификации свойств кристаллов дозированным введением точечных дефектов и примесей. Можно предположить, что помимо уже известных эффектов, связанных с дефектностью сегнетоэлектрических кристаллов - понижения температуры Кюри, возникновения смещающего электрического поля, размытия фазового перехода, точечные дефекты кристаллической структуры приводят к изменению материальных констант кристалла - коэффициентов разложения термодинамического потенциала Ландау, теплоемкости, модулей упругости и т.д. Эти эффекты должны быть заметны на кристаллах с фазовыми переходами, близкими к рикритической точке. Наиболее эффективным методом создания заданной плотности точечных дефектов в кристаллической матрице является у-облучение. Поэтому для выявления и изучения указанных эффектов мы использовали у-облучение, как способ создания точечных дефектов, а в качестве объектов исследования были использованы кристаллы группы триглицинсульфата ТГСел (NH2CH2COOH)3-H2Se04 и его дейтерированный аналог (ДТГСел), имеющие фазовые переходы вблизи 30ОК. К началу данной работы в литературе имелось весьма мало данных о влиянии у-облучения на фазовые переходы в этих кристаллах ; они касались больших доз облучения, вызывающих сильное размытие фазовых переходов.
В диссертационной работе была поставлена задача получения новых экспериментальных данных по влиянию точечных дефектов, индуцированных у-облучением, на фазовые переходы, близкие к трикритической точке в кристаллах ТГСел (фазовый
переход II рода) и ДТГСел (фазовый переход I рода) методом прецизионной адиабатической калориметрии. Основными задачами работы являлись:
- получение температурных зависимостей теплоемкости
номинально чистых кристаллов ТГСел и ДТГСел в области точки
фазового перехода и в широком интервале температур,
определение в рамках феноменологической теории фазовых
переходов Ландау всех термодинамических коэффициентов для
этих кристаллов;
исследование влияния точечных дефектов, индуцированных у-облучением, на теплоемкость кристаллов ТГСел и ДТГСел выяснение характера изменения типов фазовых превращений и термодинамических коэффициентов для малых (0<1МР), средних (1
сопоставление полученных результатов с существующими в настоящее время моделями дефектного состояния и кинетики накопления в кристаллах радиационных дефектов.
Полученные в работе экспериментальные результаты существенны для установления общих закономерностей, определяющих влияние точечных дефектов на критические аномалии физических свойств глицин-содержащих одноосных сегнетоэлехтрических христаллов.
В данной работе:
по данным калориметричесхих измерений определены термодинамические коэффициенты и идентифицированы фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах ТГСел и ДТГСел (х=0.62).
показано, что малые дозы облучения не вызывают размытия фазовых переходов, и по мере накопления радиационных дефектов происходит закономерное изменение термодинамических коэффициентов Ландау, сходное для обоих кристаллов. При этом в кристаллах ДТГСел при критической дозе D=0.3MP происходит изменение рода фазового перехода от первого ко второму, т.е. реализуется трикритаческая точка.
установлена существенно нелинейная зависимость избыточной энергии фазовых переходов в кристаллах ТГСел и
ЦТГСел от дозы облучения в области средних доз; при больших
зрзах наблюдалось прогрессирующее размытие фазового
перехода, сопровождающееся насыщением относительной
избыточной энергии фазового перехода на уровне AQ0/AQ0 » 0.5.
- па данным калориметрических измерений получена полная количественная картина эволюции свойств кристаллов ТГСел и ЦТГСел в области фазовых превращений по мере накопления точечных дефектов, индуцированных у-облучением.
Основные результаты работы докладывались и обсуждались за XIII Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству, г.Тверь, 1992г.; I Корейско-Японском симпозиуме по зегнетоэлектричеству, г.Пусан, 1994г.; Украинско-польско-зосточноевропейском семинаре по сегнетоэлектричеству и разовым переходам, г.Ужгород, 1994г.
По материалам диссертации опубликовано б научных статей з тезисов докладов, список которых приводится в конце івтореферата.
СТРУКТУРА И ОБЪЕМ РАБОТЫ: