Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Исследование влияния структурного несовершенства кристаллов ванадатов редкоземельных элементов на их генерационные характеристики в лазерах с полупроводниковой накачкой Орлова, Галина Юрьевна

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Орлова, Галина Юрьевна. Исследование влияния структурного несовершенства кристаллов ванадатов редкоземельных элементов на их генерационные характеристики в лазерах с полупроводниковой накачкой : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.03 / Орлова Галина Юрьевна; [Место защиты: Науч.-исслед. ин-т "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха].- Москва, 2013.- 183 с.: ил. РГБ ОД, 61 13-5/2692

Введение к работе

Актуальность темы

Современные твердотельные лазеры и устройства на их основе применяются в оптической связи и навигационных системах, лазерной медицине и биотехнологиях, металлургической промышленности и военной технике, и других отраслях науки и техники.

К особенностям современной техники относятся высокая надежность и миниатюрность исполнения технических устройств. Проблему уменьшения габаритов лазерных устройств и снижения их энергопотребления можно решить путем использования миниатюрных источников излучения на основе твердотельных лазеров с диодной накачкой, так как ламповая накачка не даёт должного КПД, а сами полупроводниковые лазеры не обеспечивают нужного качества излучения.

Наиболее интенсивно в настоящее время исследуются кристаллы ванадатов иттрия и гадолиния, применяемые в качестве активных сред твердотельных лазеров с диодной накачкой.

Ванадаты иттрия и гадолиния имеют ряд преимуществ по сравнению с традиционно применяемым иттрий-алюминиевым гранатом (ИАГ):

большое значение сечения поглощения ванадатов иттрия и гадолиния, которое в 9 раз больше, чем у ИАГ;

значение сечения индуцированного перехода ванадата иттрия в 5 раз превышает значение для ИАГ, а ванадата гадолиния почти в 3 раза превышает значение для ИАГ;

теплопроводность ванадатов иттрия и гадолиния сравнима с теплопроводностью ИАГ.

Кроме кристаллов ванадатов иттрия и гадолиния, легированных ионами Nd3+, в качестве активных сред могут применяться кристаллы смешанных ванадатов редкоземельных элементов, такие как: YxGd1-xVO4, YxLu1-xVO4, YxYb1-xVO4, YxSc1-xVO4.

Цель и задачи работы

Применение кристаллов ванадата иттрия и смешанных ванадатов редкоземельных металлов в качестве активных элементов в лазерах с полупроводниковой накачкой накладывает определенные требования на их качество, так как оно в значительной степени влияет на их генерационные параметры.

В настоящее время в литературе практически нет данных по исследованию качества кристаллов ванадатов иттрия и смешанных ванадатов РЗЭ рентгеновскими методами и отсутствуют сведения о связи структурного несовершенства активных элементов из ванадатов РЗЭ с их генерационными характеристиками.

Поэтому исследование качества кристаллических активных элементов из ванадатов РЗЭ и влияние структурного несовершенства кристаллов на генерационные параметры лазеров с полупроводниковой накачкой представляет научный и практический интерес. Решению этих проблем посвящена настоящая диссертационная работа.

Целью данной работы является:

  1. исследование качества монокристаллов ванадата иттрия и смешанных ванадатов редкоземельных элементов рентгеновскими методами;

  2. изучение влияние структурного несовершенства активных элементов на генерационные характеристики; разработка методики прогнозирования генерационных параметров кристаллов на основе исследования их структурного несовершенства;

  3. исследование влияния кристаллографической ориентации активных элементов из ванадатов РЗЭ (YVO4:Nd3+, GdVO4:Nd3+, YxGd1-xVO4:Nd3+, YxSc1-xVO4:Nd3+) на эффективность генерации.

Научная новизна полученных результатов

- Экспериментально установлена взаимосвязь между структурным несовершенством кристаллов ванадатов иттрия и гадолиния, и смешанных ванадатов иттрия-гадолиния и их генерационными характеристиками. Впервые получена зависимость эффективности генерации исследованных кристаллов от их структурного несовершенства.

- Исследовано влияние кристаллографической ориентации активных элементов из ванадатов РЗЭ на эффективность генерации. Наблюдается взаимосвязь между ретикулярной плотностью кристаллографических плоскостей и эффективностью генерации по соответствующим направлениям.

- Впервые исследованы структурное несовершенство кристаллов YxSc1-xVO4 рентгеновскими методами, получены их генерационные характеристики.

Практическая значимость работы

- Проведенные исследования генерационных характеристик активных элементов из YVO4:Nd3+ вдоль кристаллографических направлений [100], [110] и [001] позволили установить, что наиболее привлекательным с точки зрения эффективности генерации являются кристаллографические направления [100] и [110].

- Рентгеновские исследования структурного несовершенства кристаллов YVO4:Nd3+, начиная с выращенной були и заканчивая активным элементом, позволили установить критерий отбора заготовок из кристаллов для изготовления активных элементов. Таким критерием может быть кривая качания кристалла, полученная с помощью рентгеновского дифрактометра. По полуширине кривой качания и ее виду можно определить степень структурного несовершенства кристалла.

- Сравнение генерационных характеристик активных элементов из кристалла YVO4:Nd3+ со степенью их структурного несовершенства (по величине полуширины кривой качания, полученной в рентгеновских исследованиях активных элементов) позволило установить определенную зависимость между этими параметрами. Эта зависимость дает возможность прогнозировать генерационные характеристики кристаллов по рентгеновским исследованиям их качества без изготовления активных элементов и проведения экспериментов по лазерной генерации, что намного упрощает и удешевляет процесс получения качественных активных элементов из кристаллов YVO4:Nd3+. Несмотря на то, что метод исследования структурного несовершенства кристаллов с помощью рентгеновского дифрактометра известен достаточно давно, сравнительные исследования по связи генерационных характеристик со структурным совершенством для кристаллов YVO4:Nd3+ (а также других активных кристаллов) не проводились. Такая зависимость получена впервые.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Проведение исследований и отработка метода контроля качества кристаллов ванадатов иттрия и смешанных ванадатов редкоземельных элементов с помощью рентгеновского дифрактометра.

2. Результаты исследований эффективности генерации лазерного излучения в активных элементах из ванадата иттрия и смешанных ванадатов редкоземельных элементов в зависимости от кристаллографической ориентации активных элементов и направления поляризации излучения.

3. Результаты исследований влияния качества кристаллов ванадата иттрия и смешанных ванадатов редкоземельных элементов на эффективность генерации лазерного излучения.

Надежность и достоверность

Достоверность результатов основана на статистической значимости большого числа исследований и многократной повторяемости результатов. В работе было исследовано более 50 кристаллов и получено свыше 500 кривых качания. Исследования влияния качества кристаллов на эффективность генерации лазерного излучения проведено более чем на 100 образцах с различной кристаллографической ориентацией.

Личный вклад автора

Автор принимал участие в постановке задач исследований, самостоятельно проводил эксперименты по исследованию структурного несовершенства кристаллов ванадатов РЗЭ, и по исследованию лазерных параметров активных элементов из этих кристаллов, проводил теоретические расчеты и анализ экспериментальных результатов.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на: XLVII научной конференции МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук» (Москва – Долгопрудный, 26 – 27 ноября 2004 г.), 3-й Международной конференции по физике кристаллов «Кристаллофизика 21-го века» (Москва, 20 – 26 ноября 2006 г.), 8-й Всероссийской конференции с элементами молодежной научной школы «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (Саранск, 5 – 8 октября 2009 г.), The 16 international conference on crystal growth (ICCG-16) August 8 – 13, 2010, Beijing, China, 15-й Международной конференции «Оптика лазеров» (Санкт-Петербург, 25 – 29 июня 2012 г.)

Публикации по теме диссертации

По результатам диссертационной работы опубликовано 9 работ (4 статьи в научных журналах из списка ВАК и 5 публикаций в сборниках тезисов докладов и трудов конференций)

Структура и объем работы

Похожие диссертации на Исследование влияния структурного несовершенства кристаллов ванадатов редкоземельных элементов на их генерационные характеристики в лазерах с полупроводниковой накачкой