Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Фотогальванический эффект в квазиодномерных наноструктурах Ульянов, Сергей Николаевич

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Ульянов, Сергей Николаевич. Фотогальванический эффект в квазиодномерных наноструктурах : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.05 / Ульянов Сергей Николаевич; [Место защиты: Морд. гос. ун-т им. Н.П. Огарева].- Саранск, 2013.- 153 с.: ил. РГБ ОД, 61 14-1/79

Введение к работе

Актуальность темы. Исследование оптических и транспортных свойств наноструктур является на сегодняшний день одним из наиболее интенсивно развивающихся направлений физики конденсированного состояния. В работах многих российских и зарубежных авторов исследовался электронный транспорт в различных квазиодномерных системах, таких как квантовые каналы, микросужения, проволоки, наноцилиндры, квантовые кольца, углеродные нанотрубки. В этих системах было обнаружено [1,2] большое количество интересных и зачастую уникальных физических эффектов, таких как: квантование кондактанса, квантовый эффект Холла, осцилляции Ааронова-Бома в квантовых кольцах, резонансы Брейта-Вигнера и Фано и др.

В последнее время всё большее внимание исследователей привлекает изучение влияния электромагнитного поля электромагнитной волны на электронный транспорт в наноструктурах [3—5]. Особенно активно исследуются фотогальванический эффект (рэтчет-эффект), заключающийся в возникновении фототока в системах при отсутствии у них центра инверсии. Интерес к этой проблеме обусловлен потребностями в эффективных преобразователях оптического сигнала в электрический. Дальнейшее развитие электроники по пути миниатюризации требует появления чувствительных фотоприёмников нанометровых размеров. Кроме того, многими исследователями [6, 7] отмечается зависимость фотогальванического эффекта от спина электрона и от спин-орбитального взаимодействия, что имеет большую ценность для спинтроники. Однако, несмотря на большое количество работ в данном направлении, задача о влиянии электромагнитного поля на электронный транспорт в квазиодномерных наноструктурах, в которых центральная симметрия нарушается короткодействующими рассеивающими центрами, до настоящего момента не рассматривалась в литературе, что инициировало интерес автора к исследованию в этой области. Зависимость фототока и фотокондактанса от напряжения на затворе, от частоты внешнего электромагнитного излучения и от других параметров системы может оказаться достаточно сложной. Поэтому правильная интерпретация экспериментальных результатов требует детального теоретического исследования рассматриваемого явления.

Основной целью работы является исследование

фотогальванического эффекта в квазиодномерных наноструктурах, в которых центральная симметрия нарушена одиночной короткодействующей примесью или асимметричным расположением контактов. Рассмотрены случаи, когда в качестве такой наноструктуры выступают квантовые каналы, сформированные в двумерном электронном газе, квантовый цилиндр, проволока и кольцо с присоединёнными проводниками.

Основными задачами работы являются:

  1. Разработка метода исследования фотогальванического эффекта в квазиодномерной наноструктуре, содержащей одиночную короткодействующую примесь, при квазибаллистическом режиме электронного транспорта.

  2. Получение выражений для фототока и фотокондактанса для квантовых каналов с параболическим и прямоугольным потенциальным профилем, при наличии в них короткодействующей примеси.

  3. Исследование влияния формы потенциала конфайнмента на фототок и фотокондактанс в квантовых каналах.

  4. Получение выражения для фототока через квантовый цилиндр и квантовую проволоку с примесью в продольном магнитном поле.

  5. Разработка метода исследования фотогальванического эффекта в одномерном квантовом кольце с присоединёнными проводниками в магнитном поле.

  6. Изучение влияния на фототок и фотокондактанс величины химического потенциала, положения рассеивающих центров, геометрии наноструктуры, магнитного поля и частоты излучения.

Методы решения задачи:

1. Для исследования фототока и кондактанса наноструктур в диссертации был разработан оригинальный метод, основанный на известном обобщении [8—10] теории Ландауэра-Бюттикера [11], которое позволяет учитывать неупругие процессы рассеяния. В рамках этого метода ток в системе выражается через коэффициенты

прохождения электрона с учётом испускания или поглощения фотонов. Коэффициенты прохождения, в свою очередь, находятся с помощью резольвенты невозмущённого гамильтониана.

  1. Для моделирования примесей и контактов используется подход, основанный на теории потенциалов нулевого радиуса и технике самосопряжённых расширений симметрических операторов [12—14]. Этот подход позволяет определить граничные условия, описывающие потенциал точечной примеси или контакта, и получить точное решение уравнения Шрёдингера, а с его помощью найти коэффициенты прохождения электрона через структуру.

  2. Для исследования фототока и фотокондактанса используются методы нестационарной теории возмущений. При этом влияние примеси или контакта учитывается явно путём точного решения уравнения Шрёдингера, а взаимодействие электронов с электромагнитным полем волны описывается в рамках первого порядка нестационарной теории возмущений.

Научная новизна работы обусловлена тем, что в ней рассмотрен новый механизм генерации фототока в наноструктурах в случае, когда нарушение центральной симметрии системы связано не с особенностями строения кристаллической решетки, а с особенностями геометрии всей системы в целом. В частности, впервые рассмотрена генерация фототока в квантовых каналах, проволоках и цилиндрах, в которых центральная симметрия нарушается одиночной короткодействующей примесью, и в квантовом кольце с асимметрично присоединёнными проводниками.

Практическая значимость результатов работы. Полученные

в работе результаты могут быть использованы для объяснения экспериментальных результатов по поглощению электромагнитного излучения в наноструктурах и его влиянию на электронный транспорт. Результаты также могут быть применены при разработке миниатюрных детекторов электромагнитного излучения с управляемыми характеристиками и преобразователей оптического сигнала в электрический в устройствах наноэлектроники.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Одиночная точечная примесь, расположенная асимметрично относительно торцов квазиодномерной наноструктуры, может

приводить к появлению фототока в системе в квазибаллистическом транспортном режиме.

  1. Для квантового канала и квантовой проволоки с параболическим потенциальным профилем зависимость фототока и фотокондактанса от химического потенциала имеет осцилляционный характер, связанный с эквидистантностью энергетических уровней в поперечном потенциале конфайнмента.

  2. Для канала с прямоугольным потенциальным профилем, для цилиндра и кольца, фототок имеет наибольшие величины, когда химический потенциал располагается между уровнями спектра, расстояние между которыми равно энергии фотона.

  3. Частотные зависимости фототока имеют форму асимметричных резонансных пиков, причём, резонансные частоты соответствуют расстояниям между уровнями дискретного спектра.

  4. При изменении положения примеси в поперечном сечении наноструктуры возможно изменение знака фототока, связанное с осцилляциями электронной плотности в поперечном сечении наноструктуры.

  5. При несимметричном присоединении проводников к кольцу в нём возникает фототок. Магнитное поле способно усиливать или уменьшать фототок.

  6. При увеличении температуры амплитуда пиков уменьшается, а их форма сглаживается. Максимумы фототока достаточно медленно убывают с ростом температуры до тех пор, пока рассеянием на фононах можно пренебречь. Фотокондактанс существенно более чувствителен к повышению температуры.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы докладывались на 20-й международной конференции "Nanostructures: Physics and Technology"( Нижний Новгород, 2012), XIII Международном Симпозиуме "Нанофизика и наноэлектроника"(Нижний Новгород, 2009), VIII и XI Российской конференции по физике полупроводников (Екатеринбург, 2007; Санкт-Петербург, 2013г.), Advanced research

workshop "Fundamentals of electronic nanosystems"(Санкт-Петербург, 2008), Международной зимней школе по физике полупроводников (С.-Петербург - Зеленогорск, 2008), 8-й, 9-й Всероссийской конференции с элементами молодёжной научной школы "Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение"( Саранск, 2009-2010 гг.), 6-й и 7-й Всероссийской молодежной научной школе "Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение"(Саранск, 2007-2008 гг.), XII и XIII научной конференции молодых ученых, аспирантов и студентов Мордовского государственного университета имени Н.П. Огарева (Саранск, 2007-2008 гг.)

Личный вклад автора в работу заключается в участии в разработке методов и подходов исследования, а также в аналитическом исследовании полученных результатов. Численный анализ проводился автором самостоятельно.

Публикации. По результатам исследований, проведённых в рамках диссертационной работы, опубликовано 17 работ, в том числе 2 статьи в рецензируемых журналах, входящих в список изданий, рекомендованных ВАК РФ, и 13 тезисов докладов на всероссийских и международных конференциях.

Структура и объём диссертации.

Диссертация содержит 153 страницы и состоит из введения, пяти глав, заключения, трёх приложений и списка цитируемой литературы, который включает 122 наименования.