Введение к работе
Актуальность темы. Свойства стеклообразных полупроводников в большой степени обусловлены особенностями локализованных состояний в запрещенной зоне, поэтому исследование поляризационных процессов в данном классе материалов имеет большое значение как для уточнения сведений об структуре, так и для понимания природы их фундаментальных свойств. Актуальность диссертационного исследования обусловлена необходимостью исследования тех свойств халькогенидных стекол, которые могут определять дальнейшие пути использования этих материалов, отвечающих требованиям к электронной технике.
Целью данной работы явилось изучение влияния внешних воздействий и технологических факторов на поляризационные процессы в халькогенидных стеклах системы As-Se. Для достижения поставленной цели были решены следующие задачи:
-
Измерение и анализ кинетики долговременного «пада темново-го и фототока в ХСП системы Aa-Se при разных температурах, напряжениях и условиях освещения.
-
Изучение емкостных свойств ХСП системы As-Se, на основе измерений изменения величины барьерной емкости в ходе протекания переходных процессов.
3. Изучение диэлектрических и фотодиэлектрических свойств
ХСП системы As-Se в области инфранизкнх частот переменного
электрического поля.
4. Анализ влияния примесного и технологического факторов на
поляризационные процессы в тонких пленках ХСП системы As-Se.
) 1
Защищаемые положения
1. Обнаруженная в ХСП системы As-Se дисперсия
диэлектрических параметров: фактора потерь и диэлектрической
проницаемости, обусловлена существованием непрерывного спектра
локализованных состояний в запрещенной зоне и влиянием контакт
ных явлений.
-
Введение в состав ХСП системы As-Se примеси висмута оказывает существенное влияние на протекание переходных процессов в данных материалов, что проявляется в изменении характера спада темнового тока и вида В АХ.
-
В исследованных пленках ХСП обнаружено аномальное увеличение диэлектрической проницаемости при освещении, что объясняется увеличением числа поляризационных центров под действием света.
Научная новизна
1. Проведено комплексное исследование поляризационных
процессов в пленках ХСП системы As-Se в области инфранизких час
тот. Обнаружено влияние термо и фотовозбуждения на протекание
процессов поляризации и проводимости.
-
Методами диэлектрической спектроскопии установлено наличие барьеров типа Шоттки на границе ХСП с металлом электродов, и с помощью развитой в работе методики, оценены параметры этих барьеров: высота барьеров и размеры области накопления зарядов соответсвующей барьерной емкости.
-
Исследовано влияние примесного и технологического факторов на процессы поляризации и электропереноса в ХСП системы As-Se.
Практическая значимость
1. На основании исследования диэлектрических характеристик
ХСП системы As-Se выявлена возможность их применения в качестве
диэлектрического слоя в структурах МДМ для изготовления
резисторных и фоторезисторных элементов в микроэлектронике.
2. Смонтирована установка для изучения релаксационных
процессов в тонких пленках, которая может быть использована как в
научных, так и методических целях.
Апробация работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на: Всероссийской конференции с международным участием "Диэлектрики 93 "(Санкт-Петербург, 1993 г.), Международном симпозиуме по электретам "ISE 8" (Париж, 1994 г.)
Публикации. По тематике диссертации опубликовано 5 работ включая тезисы докладов и 3 статьи. Библиография приведена в конце автореферата.
Объем и структура диссертации. Работа состоит из введения, 5 глав, заключения и списка литературы; содержит 1 таблицу и 70 рисунков.