Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем Шляпин Александр Владимирович

Данный автореферат диссертации должен поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - 240 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Шляпин Александр Владимирович. Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Ульяновск, 2002.- 179 с.: ил. РГБ ОД, 61 03-1/698-8

Похожие диссертации на Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем

Исследование влияния локализованных состояний на распределение пространственного заряда в барьерных структурах на основе неупорядоченных полупроводниковМишустин Владислав Геннадьевич

Исследование методов повышения эффективности электролюминесценции в пленочных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцемСабитов, Олег Юрьевич

Генерационные процессы в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцемАфанасьев Александр Михайлович

Электрофизические и излучательные процессы в пленочных электролюминесцентных структурах на основе сульфида цинкаСабитов Олег Юрьевич

Исследование влияния динамики и кинетики процессов самоорганизации структуры ступеней и островков псевдоморфных пленок на вицинальных поверхностях полупроводников Ланцова Ольга Юрьевна

Исследование влияния параметров реактивного магнетронного распыления на электронные свойства аморфного гидрированного Si, Ge и сплавов на их основеИшкалов, Жанай Толаганович

Исследование влияния структурного совершенства и физико-химических обработок поверхности кремния на характеристики силовых диодовНам Чанг Сон

Исследование влияния упругого взаимодействия на формирование дефектных структур и примесных неоднородностей в полупроводниковых материалахГайдуков, Геннадий Николаевич

Исследование влияния примесей переходных элементов на фотоэлектрические и оптические свойства фосфида и арсенида галлияАтаев, Патышакулы

Электронно-микроскопические исследования влияния температурных режимов роста на микроструктуру и морфологию квантовых точек в системе InAs-(Al)GaAsЧеркашин Николай Анатольевич