Квантоворазмерные гетероструктуры в системе GaAs/AlGaAs : (Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) Копьев, Петр Сергеевич

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Копьев, Петр Сергеевич. Квантоворазмерные гетероструктуры в системе GaAs/AlGaAs : (Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств) : автореферат дис. ... доктора физико-математических наук : 01.04.10 / Российская академия наук. Физ.-техн. ин-т.- Санкт-Петербург, 1992.- 40 с.: ил. РГБ ОД, 9 92-3/2428-0

Похожие диссертации на Квантоворазмерные гетероструктуры в системе GaAs/AlGaAs : (Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)

Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6 : Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойствИванов Сергей Викторович

Гетероструктуры с размерным квантованием в одном, двух и трех измерениях : (Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)Леденцов, Николай Николаевич

Квантово-размерные напряженные гетероструктуры в системе (In, Ga, Al)As: Технология получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойствЖуков, Алексей Евгеньевич

Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойствМихрин Сергей Сергеевич

Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктурыпа основе широкозонных соединений А2 В6(основы технологии получения методоммолекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)Иванов, Сергей Викторович

Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе: =0,78 - 1,3 мкмЛившиц Даниил Александрович

Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качестваБарановский, Максим Владимирович

Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойствЛундин, Всеволод Владимирович

Оптические свойства квантоворазмерных гетероструктур в системах A3B5 и A2 B6 , полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксииМаксимов, Михаил Викторович

Исследование электрических и фотоэлектрических свойств фоточувствительных структур в системах GaAs-AlGaAs и InP-InGaAs со встроенным потенциальным барьеромАбдуллаев, Хаким Олимжанович