Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии Варавин Василий Семенович

Данный автореферат диссертации должен поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - 240 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Варавин Василий Семенович. Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Новосибирск, 2001.- 145 с.: ил. РГБ ОД, 61 02-1/402-8

Похожие диссертации на Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии

Физико-химические основы молекулярно-лучевой эпитаксии узкозонных полупроводников Pb1 Sn1-x Te и Cd x Hg1-x teСидоров, Юрий Георгиевич

Структура и свойства дефектов с глубокими уровнями в эпитаксиальных слоях фосфида галлияСказочкин, Александр Викторович

Роль активаторных дефектов в изменении структуры и сцинтилляционных свойств кристаллов NaI(Tl).Кудин, Александр Михайлович

Влияние дефектов структуры на электрические и оптические свойства монокристаллов CdS и AgхGaхGe1-хSe2Шаварова, Ганна Петровна

Исследование электронной структуры и оптических свойств идеальных и содержащих точечные дефекты кристаллов диэлектриков кластерным методом рассеянных волнСоболев, Александр Борисович

Исследование кристаллической структуры и дефектов в карбиде кремния и их влияние на электрофизические свойстваСалиев, Тожидин Муталович

Исследование электронных свойств бесщелевых Cd(x)Hg(1-x)Te, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролитШевченко Ольга Юрьевна

Изовалентное легирование и получение квантовых гетероструктур на основе соединений А3 В5 в методе жидкофазной эпитаксииЛе Туан

Создание и исследование источников спонтанного излучения на основе узкозонных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений Кижаев Сергей Сергеевич

Исследование особенностей механизма генерации многомодовых непрерывных InCaAsP/InP ( =1.3 мкм) лазеров раздельного ограничения, выращенных методом краткоконтактной жидкофазной эпитаксииЗайцев, Сергей Витальевич