Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на S1 из раствора-расплава Дерягин, Николай Германович

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Дерягин, Николай Германович. Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на S1 из раствора-расплава : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Рос. АН Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе.- Санкт-Петербург, 1995.- 20 с.: ил. РГБ ОД, 9 95-2/1830-6

Похожие диссертации на Выращивание эпитаксиальных слоев GaAs на S1 из раствора-расплава

Особенности взаимодействия молекулярных пучков с поверхностью кремния в условиях выращивания слоев методом вакуумной химической эпитаксииСмыслова, Татьяна Николаевна

Эпитаксиальные слои GaN и многослойные гетероструктуры GaN/AlGaN. Разработка технологии выращивания и исследование свойствЛундин, Всеволод Владимирович

Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAsСамойлов, Виктор Александрович

Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотраженияШайблер Генрих Эрнстович

Исследование эпитаксиальных слоев GaAs и одиночных квантовых ям (In, Ga)As/GaAs методами фото- и электроотраженияКомков Олег Сергеевич

Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAsКотельников Игорь Николаевич

Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного Z-легированного слоя в GaAsДижур Сергей Евгеньевич

Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAsДижур С.Е.

Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмыЖуравлев, Андрей Григорьевич

Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основеТорхов Николай Анатольевич