Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне Аношкин Юрий Владимирович

Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне
<
Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне
>

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Аношкин Юрий Владимирович. Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне : диссертация ... кандидата технических наук : 05.11.14 / Аношкин Юрий Владимирович; [Место защиты: Пенз. гос. ун-т].- Пенза, 2009.- 219 с.: ил. РГБ ОД, 61 10-5/1171

Введение к работе

Актуальность темы.

Необходимость исследований свойств материалов для информационно-измерительных приборов на микро- и наноразмсрном уровне обусловливается жесткими требованиями, предъявляемыми к изделиям приборостроения. Это относится к структурам иа основе многокомпонентных проводниковых материалов, которые применяются в датчиковом приборостроении. Актуальной задачей является установление факторов, влияющих иа параметры резиспшшх сгрукгур на низкоразмерном уровне, для разработки закономерностей: технологические режимы получения - морфологические свойства рези-стивных пленок — выходные параметры резистивных структур, обеспечивающих повышение воспроизводимости и стабильности их параметров за счет оптимизации технологии получения, включающей внешние воздействия.

Систематические исследования в области формирования микроэлск-тронных изделий начались еще в прошлом веке. Однако до сих нор возникают проблемы воспроизводимости параметров и надежности эксплуатации приборов, решения которых опираїшіся на результаты исследований в микро- и наномасштабпом диапазонах. Большой вклад в развитие основ технологии формирования тонких пленок внесли научные школы, руководимые такими учеными, как Л. С. Палатник, Ю. М. Таиров, Е. Л. Мокроп, P.M. Печерская, В. А. Гридчин, С. А. Кукушкин, а также зарубежные ученые L. Maissel, R. Glang, R. A. Sigsbee, S. Forrest и т. д.

Для существенного снижения деградации параметров резисгаи-ных структур при их производстве применяется импульсное токовое воздействие высокой плотности, что требует специального оборудования. В ряде работ стабилизация параметров резистивных структур достигается радиационным воздействием. Эффективным является повышение стабильности параметров резистивных структур за счет варьирования технологическими режимами и применения внешнего воздействия в виде отжига в атмосфере. Однако исследования на низкоразмерном уровне в этом направлении не носят системного характера, причем отсутствуют зависимости, связывающие тсхнолош-ческие режимы получения - морфологическую структуру -- внешние воздействия - выходные параметры резистивных структур для дат» чикового приборостроения. Кроме того, требуется разработка техно-

логической методики стабилизации и контролируемого изменения выходных параметров изделий приборостроения на основе развития теоретических положений с учетом ряда новых технических решений, оказывающих существенное влияние на процент выхода годных резистивных структур для информационно-измерительных приборов. Используемые сегодня резистивные структуры имеют недостатки в плане надежности, стабильности выходных параметров и точности достижения заданного номинального параметра, а изготовление пленочных резисторов на основе многокомпонентных материалов требует выделения значительных материальных и временных затрат на различных этапах их производства, что приводит к удорожанию информационно-измерительных приборов с использованием таких резисторов и снижению их конкурентоспособности на мировом рынке.

Цель работы.

Целью работы является развитие основ технологии получения резистивных структур со стабильными и воспроизводимыми выходными параметрами за счет контролируемого изменения состояния поверхности пленок на низкоразмерном уровне посредством выбора технологических режимов получения и отжига.

Задачи диссертационной работы.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

разработать методики получения и исследования параметров резистивных структур на основе хромоникелевых сплавов при различных технологических режимах;

исследовать механизмы образования резистивных пленок на низкоразмерном уровне и деградацию их свойств;

разработать методику исследования морфологии поверхности пленок резистивных структур на низкоразмерном уровне и смоделировать их поверхность для различных технологических режимов получения;

установить физико-технологические закономерности формирования резистивных структур на иизкоразмерном уровне с заданными выходными параметрами;

разработать технологические методики на основе теории фракталов контролируемого изменения морфоструктуры пленок многокомпонентных материалов, электрических параметров резистивных

структур, обеспечивающие повышение воспроизводимости и стабильности изделий приборостроения.

Методы исследований.

Сформулированные задачи исследований резистивных структур решались с применением сканирующей зондовой микроскопии, численных и аналитических методов моделирования процессов средствами вычислительной техники.

Достоверность результатов.

Достоверность полученных результатов и выводов подтверждена численным и аналитическим моделированием свойств многокомпонентных материалов; комплексными экспериментальными исследованиями параметров резистивных структур, выполненными с точностью, обеспечивающей получение достоверных сведений; совпадением рассчитанных значений с экспериментальными данными в пределах разработанных моделей и с известными литературными источниками. В процессе рабогы изготовлено и исследовано 120 партий образцов с 2500 пленочными элементами.

Научная новизна работы.

  1. Определены физико-технологические закономерности формирования резистивных структур с контролируемыми изменениями морфо-структуры и выходных параметров, основанные на теории фракталов, кинетике испарения и конденсации материалов в неравновесных условиях синтеза.

  2. На базе установленных физико-технологических закономерностей формирования резистивных структур с заданными морфострук-турой и выходными параметрами развита технология получения резистивных структур с воспроизводимыми и стабильными параметрами для датчикового приборостроения.

  3. Разработана модель процесса временной стабилизации параметров резистивных структур с использованием хромоникелевых сплавов за счет выбора технологических режимов и отжига.

  4. На основе теории фракталов разработан алгоритм расчега кинетики роста пленок, изменения электрофизических свойств, позволяющий прогнозировать электрические, морфологические характеристики многокомпонентных материалов и выходные параметры резистивных структур на их основе в процессе хранения для различных технологических режимов, что особенно актуально при разработке

эффективной технологии получения высокостабильных информационно-измерительных приборов.

Практический значимость.

Развиты основы технологии получения резистивных структур на основе хромоникелевых сплавов с высокостабильными выходными параметрами для датчикового приборостроения.

Установлены технологические режимы получения и отжига резистивных структур, позволяющие контролируемо изменять морфост-руктуру пленок и их электрические свойства.

Разработана методика получения, и изготовлены резистивные структуры на основе многокомпонентных материалов с заданными выходными параметрами за счет контроля морфоструктуры резистивных пленок.

Разработана методика стабилизации выходных параметров резистивных структур хромоникелевых сплавов, обеспечивающая стабильные во времени параметры с уменьшенными значениями коэффициента старения сопротивлении, близкого к лучшим известным аналогам.

Диссертационная работа выполнялась в рамках аналитической ведомственной целевой программы Министерства образования и науки РФ «Развитие научного потенциала высшей школы (2006-2008 гг.)», мероприятие № 3 «Проведение прикладных научных исследований в области образования, молодежной и социальной политики в области образования», проект «Учебно-исследовательский комплекс для исследования микро- и напосистем», мероприятие № 1 «Проведение фундаментальных исследований в рамках тематических планов», проект «Исследование и разрабагка управляемого сит-еза гетерогенных систем», а также хоздоговорной работы «Исследование с помощью атомно-силового сканирующего микроскопа вариантов структур тензослоев, модифицированных термоотжигом (либо методом лазерной рекристаллизации) в целях создания высокотемпературных модулей для радиационно стойких датчиков» с предприятием ОАО «НИИ физических измерений» (г. Пенза). Результаты диссертационной работы используются в учебном процессе и научных исследованиях в ГОУ ВПО «Пензенский государственный университет» (ПГУ), ГОУ ВПО «Саратовский государственный технический университет», ГОУ ВПО «Уфимский государственный нефтяной технический университет», «Кузнецкий институт информационных и управленческих технологий» (филиал ПГУ), ГОУ ВПО «Пензенская шеударстаениая технологическая академия», ФГОУ СПО «Пен-

зенский государственный гфиборостроительный колледж», ГОУ ШЮ «Марийский государственный технический университет». На защиту выносятся:

  1. Технологическая методика получения резистивных структур на основе многокомпонентных материалов с заданными и стабильными выходными параметрами, в которой за счет коягроля морфострукху-ры на низкоразмерном уровне обеспечивается повышение эффективности формирования и улучшение выходных параметров резистивных структур информационно-измерительных приборов.

  2. Методика и результаты временной стабилизации выходных параметров резистивных структур на основе хромоникелевых сплавов для датчикового приборостроения.

  3. Результаты теоретических и экспериментальных исследований технологических режимов получения, отжига, контроля морфострук-туры и выходных параметров резистивных пленок, позволяющие разрабатывать резистивные датчики с улучшенными выходными параметрами.

  4. Результаты моделирования выходных параметров резистивных структур на основе многокомпонентных материалов, позволяющие снизить трудоемкость разработки технологии их получения и повысигь :>ко-номичноегь производства резистивных структур для датчикостроении.

Апробация работы.

Основные научные и іфактические результаты исследований но теме диссертации опубликованы в периодических изданиях, докладывались и обсуждались на 15 научно-технических конференциях, симпозиумах и семинарах: «ВНКСФ-12» (Новосибирск, 2006 г.), «Методы создания, исследования материалов, приборов и экономические аснекш микроэлектроники» (Пенза, 2006 г., 2009 г.), «Молодые учсныс-2006» (Москва,

  1. г.), «XLI Зимняя Школа, Петербургский институт ядерной фюики» (Санкт-Петербург, 2007 г.), «Уішверситетское образование» (Пенза, 2007 2009 гг.), «Физика и технология микро- и паносистем» (Санкт-Петербург,

  2. г.), «Материалы, изделия и технологии пассивной электроники» (1Ієн-за, 2007 г.), «Аналитические и численные методы моделирования естественнонаучных и социальных проблем» (Пенза, 2007 г.), «Методы и средства управления технологическими процессами» (Саранск, 2007 г.), «Проблемы и перспективы развития отечественной светотехники, элекгро-

техники и энергетаки» (Саранск, 2007 г.), «INTERMATIC-2007» (Москва, 2007 г.), «Надежность и качество» (Пенза, 2009 г.).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 17 работ, включая статью из перечня ВАК. Без соавторов опубликована одна работа.

Структура и объем диссертации.

Похожие диссертации на Технология получения резистивных структур на низкоразмерном уровне