Введение к работе
АКТУАЛЬНОСТЬ ТШ. Развитие электроники последних десятилетий вызвало необходимость исследования физических объектов новой природы: квазидвумерных систем (тонких полупроводниковых пленок), многослойных структур, содержащих полупроводниковые, диэлектрические и металлические слои, периодических структур с квантовыми ямами, полупроводниковых сверхрешеток.
Бурный рост как теоретического, так и экспериментального интереса к таким объектам связан также с достижениями технологии молекулярно-лучевой эпитаксии в ультравысоком вакууме,' металл-органической эпитаксии из газовой фазы и др., позволяющих получать пленки и границы предельно высокого качества. В частности возникла необходимость в последовательном описании электронных и электрон-дырочных состояний с учетом перестройки как электронного так и колебательного спектров ограниченных кристаллов. Это обуславливает необходимость построения теории поляронных и поляронных-экситонных состояний принимающей во внимание эффекты размерного квантования спектра носителей заряда, перенормировки энергии и массы частиц вследствии взаимодействия с поляризационными колебаниями (поляронный эффект), специфические ку-лоновские эффекты, обусловленные существованием границ (изменение вида электрон-дырочного взаимодействия для экситонов, силы изображения).
v При исследовании кинетических явлений в полярных полу
проводниковых квантово-размерных структурах представляет
интерес наряду.с учетом перестройки электронного спектра
выявление роли перестройки фононного спектра в подобных явлениях.
построение теории электронных и экситонных возбуждений в полярных пленках на различных подложках с учетом перенормировки электронного и колебательного спектра;
анализ проблемы поляронного экситона в композиционных сверхрешетках;
исследование влияния квантующего магнитного поля на поляронные экситонные состояния в размерных органических
.кристаллах;
описание на основе теории, учитывающей размерный квантовый эффект и перенормировку фононного спектра процессов рассеяния в структурах с квантовыми ямами и инверсионных каналах ЦЦЦ структур;
разработка теории поглощения ИК-света свободными носителями заряда в квантовых ямах при участии полярных оптических фононов с учетом перестройки электронного и фононного спектров.
