Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Толстопленочные RC структуры с распределенными параметрами и микроэлектронные преобразователи на их основе Потенцки, Ежи

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Потенцки, Ежи. Толстопленочные RC структуры с распределенными параметрами и микроэлектронные преобразователи на их основе : автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.05.- Львов, 1994.- 51 с.: ил.

Введение к работе

ктуальность темы: В настоящие время наблюдается динамическое ізвитие микропроцессорных систем и современных методов эеобразования информации, что требует разработки широкого класса ітчиков регистрации и воздействия на происходящие процессы. Известно, что только на американском рынке сегодня находится около > тысяч разных датчиков. В последнее десятилетие темп роста их юизводства составляет в около 18% в год. По прогнозам экспертов юизводство датчиков увеличится с 4.5 миллиардов долларов в 1990 іду до 36 миллиардов долларов в 2000 году [72].

Традиционные датчиковые системы включают датчик и систему іравления, с выводом информации в аналоговой форме. Эти системы 'ис. 1а) характеризуются малым отношением сигнала к помехам, в связи їєм ограничена передача аналоговых сигналов на большое расстояние. Размещенние датчика в непосредственной близости к электронным тройствам формирования сигнала (ЭУФ) обеспечивает возможность иления сигнала, его линеаризацию и коррекцию характеристик ис. 16).

а)

трансмиссия

аналоговый сигнал

б)


д Нэуф


трансмиссия

аналоговый сигнал


СУ;

в)


Щп


трансмиссия

цифровым сигнал


Щї

г)


д/п;


трансмиссия

цифровой сигнал


КС*

Д)


ш


трансмиссия

цифровой сигнал


КС*

Рис. 1. Блок-схемы датчиковых систем: Д- датчик, ЭУФ электронное тройство формирования сигнала, АЦП- аналого-цифровой преобразователь, /лП - микропроцессорная система, Д/П - преобразователь, СУ - система управления, КСУ - компьютерная система управления.

Известны датчиковые системы - "интеллектуальные сенсоры", ляющиеся интегрированными системами датчика и микропроцессора, соторых создается стандартный, очень часто цифровой выходной гнал, а их использование с интерфейсом создает возможность непо-едственного подключения их к компьютерным системам управления трограммирования (Рис. 1в). Обычно эти системы требуют применения алого-цифровых преобразователей (АЦП).

Датчики с цифровой формой выходного сигнала (Рис. 1г, д) являются вым направлением в развитии датчиков и преобразователей на их

основе. В основу их функционирования положено преобразоваш физической или химической величины в выходной цифровой СИТНІ посредством:

превращения выходного аналогового сигнала датчика в отдельнс схеме преобразователя (Рис. 2а),

применения структуры, в которой датчик является интегральнс частью схемы преобразователя (Рис. 26).

а) б)

дГ

Рис. 2. Основные типы схем преобразователей.

В настоящей работе представлена концепция реализации этого нової класса датчиковых систем, превращающих изменения определенно характеризующей окружающую среду, физической или химическс величины (в зависимости от применяемых материалов) в частотнь сигнал. Их реализация основана на использовании электричеоа и термических связей, в системе многослойной RC структуры с распред ленными параметрами (DRC).

Достоинствами этого класса преобразователей являются: частота) форма выходного сигнала, устойчивость к действиям промышленнь помех и нестабильности напряжения питания, возможность і взаимодействия с системами типа TTL и CMOS (амплитуда выходно] сигнала зависит только от напряжения питания), времени; стабильность параметров, возможность получения относителы большой чувствительности при низкой стоимости.

Для их создания выбрана толстопленочная технология, котор; обеспечивает высокую стойкость к внешним воздействиям, высоку временную стабильность параметров и надежность, хорошие услові рассеивания тепла и возможность функциональной коррекщ [8, 22, 25, 74].

Цель и задачи работы:

Разработка теории, конструкции, технологии толстопленочш многослойных DRC структур и преобразователей на их основе. Для этой цели необходимо:

проведение синтеза универсальных генерирующих устройств д реализации преобразователей на основе DRC структур и другі многослойных систем с использованием электротермических связей

разработка комплексного метода компьютерного проектирован) систем преобразователей и их использования в микропроцессорш измерительно-контрольных системах,

в изучение влияния материалов и технологических факторов на микроструктуру и электрические свойства системы металл-диэлектрик-резистор,

разработка конструкции и конструктивно-технологического
методов компенсации температурных зависимостей DRC структуры,

в определение схем замещения реальной DRC структуры и разработка адекватных двухмерных моделей, полезных в коррекции непосредственными методами, с целью определения влияния рода и локализации коррекционной резки на положения нулей и полюсов передаточной функции по напряжению структуры,

выполнение синтеза рада корректирующих структур типа DRC-R (соединение структуры DRC и резистора с сосредоточенными параметрами) и DRC-DRC (соединение четырехполюсниковых и двухполюсниковых конфигураций DRC структур), их анализ и практическая реализация,

разработка ряда преобразователей температуры и давления/силы для систем управления и телеметрии.

[аучиая новизна:

Общая теория преобразователей с DRC структурами и комплексный метод их проектирования с использованием современных программ CAD,

Новые структуры типа DRC-R и DRC-DRC и анализ возможности их использования в системах преобразователей,

Выявлены электротермические связи в системе многослойной структуры с распределенными параметрами, в аспекте их практического применения в схемах управления,

Новый метод определения коэффициентов диэлектрических потерь диэлектрика в реальной системе многослойной структуры,

Новые совместимые составы материалов и технология дои реализации стабильных преобразователей температуры и давления/силы с DRC структурами,

Методы оптимизации конструкции и проектирования толстопленочных датчиков давления/силы, основанных на пьезорезистивным эффекте.

[рактическое значение работы:

Созданы новые преобразователи посредством преобразования определенной физической или химической величины в частоту,

Определены общие принципы выбора материалов для реализации DRC структур в аспекте их эксплуатационных параметров, стабильности и надежности,

Разработаны конструктивно-технологические методы компенсаци температурной зависимости DRC структуры,

Разработаны микропроцессорные системы управления и телеметри с использованием преобразователей на основе DRC структур.

Основные положения выносимые на защиту:

Комплексная теория и метод проектирования преобразователе с DRC структурами, с использованием современных программ CAD

Методика выбора материалов для реализации многослойных DR структур, базирующаяся на корреляции результатов измерени электрических свойств и анализа микроструктуры пленок к границах систем проводник-диэлектрик и диэлектрик-резисто] с использованием современных методик исследования,

Метод компенсации температурных характеристик DRC структур в системе с двухслойным диэлектриком,

Косвенные методы коррекции характеристик DRC-структур и pj корригурующих систем типа DRC-R и DRC-DRC,

Метод измерения распределенной емкости и коэффициента полнь потерь DRC структуры в схеме нулевого фильтра,

Схемы замещения реальной DRC структуры, учитывающие наличі паразитных элементов и потерь в диэлектрике,

Метод оптимизации конструкции балочных датчике давления/силы, работающих на основе пьезорезистивного эффекта,

Конструкции и технология миниатюрных преобразовател* температуры с DRC структурами, с чувствительностью 3.5 кГц/] временной стабильностью параметров 0.4% и временно постоянной, равной 15с,

Конструкции и технология преобразователей давления/силы с DR структурами.

Апробация результатов:

Основные результаты диссертационной работы были представлены і 23 симпозиумах и научных конференциях: Polskiej Sekcji Intemation Society for Hybrid Microelectronics (1983, 1984, 1986, 1987, 1989, 1990, 199 1993, 1994), Sympozjum "Nowe konstrukeje gorniczego sprzeto oswietleniowegc Katowice, 1986, 32. Internationales Wissenschaftliches KoUoquium, TH llmena (Germany) 1987, 4th Symposium on Sensors and Actuators "Eurosensor I] Enschede (Holland) 1988, 5. Fachtagung Hybndmikroelektronik, Gera, (Germany

1988, 5th Czechoslovak Conf. on Microelectronics, Bratislava, (Czechoslovaki;

1989, Symposjum Sensoren in Dunn- und Dickfilmtechnik, Fachtagui
"Sensortechnik 89", Jena/Gera, (Germany), 1989, XII Krajowa Konferencja Teo
Obwodow і Ukladow Elektronicznych, Rzeszow-Myczkowce, 198
6. Wissenschaftliche Konferenz "Rationalisierung im Maschinenbau dur
Schlusseltechnologien", Fachtagung 8: Elektroautomatisierung, Zwicka

Germany), 1989, 16th Spring Seminar on Electronic Technology, Szklarska oreba, 1993, Hybridmikroelektronik und Mikrosystemtechnik, Berlin, (Germany), 994, III Konferencja Naukowa "Czujniki optoelektroniczne і elektroniczne", ^arszawa, 1994, International Conference on Electronics Technologies, Windsor, England), 1994.

По материалам диссертационной работы опубликовано 48 научно-ехнических статей (цитируется 46), в т.ч. 2 патента, а также 26 отчетов о 12 научно-исследовательским и конструкторско-технологическим аботам.

Похожие диссертации на Толстопленочные RC структуры с распределенными параметрами и микроэлектронные преобразователи на их основе