Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Аналитические модели субмикронных МОП-приборов для использования в САПР и экстракция параметров их электро-физических характеристик Конкин, Сергей Александрович

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Конкин, Сергей Александрович. Аналитические модели субмикронных МОП-приборов для использования в САПР и экстракция параметров их электро-физических характеристик : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01.- Москва, 1997.- 27 с.: ил.

Введение к работе

Диссертационная работа посвящена разработке аналитических моделей МОП-структур и транзисторов на их основе с субмикронными размерами с целью использования й системах автоматизированного проектирования (САПР) интегральных схем (ИС) и в системах оперативного контроля технологических процессов.

Актуальность проблемы.

Непрерывное совершенствование изделий микроэлектроники связано с увеличением степени интеграции микросхем и уменьшением характерных размеров отдельных элементов, существенным усложнением технологических и контрольно-измерительных процессов, В настоящее время активно обсуждаются перспективы перехода к МОП-технологии с размерами меньше 0,1 микрона [1,2].

Современная технология разработки сверхбольших

интегральных схем (СБИС), а также методы оперативного

у/

Контроля при их производстве основаны на использовании

математических моделей высокого уровня сложности.

В настоящее время" в зависимости от рассматриваемых задач используются либо одномерные аналитические и полуэмпирические модели, либо двух-,- трехмерные численные модели.

Использование точных численных моделей элементов ИС связано с большими вычислительными затратами и ограничено исследовательскими задачами. Такое моделирование можно рассматривать как численный эксперимент.

Что касается задач САПР, то для схемотехнического проектирования СБИС традиционно . используются полуэмпирические модели элементов типа SPICE (Simulation Program with Integrated Circuits Emphasis) [3], основанные на приближении плавного канала.

Успешное использование таких моделей существенным образом зависит как от числа подгоночных параиетров, так и от способа решения обратной задачи для их определения (экстракции). Поэтому, актуальной является задача разработки таких моделей, которые корректно учитывали бы физические особенности субмикронных МОП-структур и одновременно были бы простыми для использования в САПР и при оперативном контроле технологических процессов.

Целью работы являлась разработка, не прибегая к двухмерным численным расчетам, -. таких аналитических моделей субмикронных МОП-структур, которые а области своей применимости:

1)учитывают профиль легирования подзатворной области МОП-структур с ' мелким (субмикронной глубины) р-п

переходом,

2)учитывают короткоканальные эффекты в субмикронном МОП-транзисторе,

3)позволяют производить экстракцию геометрических и электро-физических параметров из экспериментальных характеристик,

4)существенным образом сокращают, по сравнению с существующими моделями, вычислительные затраты при использовании в . САПР и оперативном контроле технологических процессов.

- 5 -Научная новизна.

  1. Впервые разработана аналитическая модель статической вольт-фарадной характеристики (ВФХ) МОП-структуры, которая не накладывает каких-либо ограничений на характер распределения легирующей примеси в подложке и позволяет учесть наличие мелкого р-п-перехода.

  2. Впервые, в рамках квазидвуыерной модели, последовательно учитывающей вклад поперечной составляющей электрического поля в канале и другие корогкоканальные эффекты, получено аналитическое выражение, единым образом описывающее крутой и пологий участки вольт-амперной характеристики (ВАХ) короткоканального МОП-транэистора без введения понятий отсечки и модуляции длины канала.

  1. Впервые, на основе нетрадиционного метода л-мериой квадратичной , сплайн-интерполяции, получен алгоритм встраивания выражений, описывающих электрофизические . характеристики элементов ИС (в частности ВАХ МОП-транзистора), а программу -схемотехнического моделирования, обеспечивающий независимость количества вычислительных операций от сложности используемых формул.

  2. Для определения геометрических характеристик НОП-структур субмикронных размеров, таких как длина затвора транзистора, по результатам наблюдения их в оптический микроскоп, впервые получено простое выражение для распределения интенсивности видеосигнала и предложен вариант решения обратной задачи (восстановление отражательной способности по наблюдаемому видеосигналу).

Практическая значимость результатов работы заключается в:

  1. Получении параметров профиля легирования подложки с мелким p-n-переходом при оперативном контроле технологических процессов путем экстракции из экспериментальных ВФХ МОП-структуры с точностью 5-10%.

  2. Адекватном описании короткоканальных эффектов при моделировании ВАХ МОП-транзистора, что получило экспериментальное подтверждение' вплоть до длины канала 0,5 мкм.

  3. Существенном уменьшении количества вычислений для получения значения каждой точки ВАХ МОП-транзистора при схемотехническом моделировании ИС.

  4. Определении геометрических размеров субмикронных элементов ИС, при оперативном контроле с помощью стандартных оптических микроскопов.

Внедрение результатов работы.

Результаты работы по моделированию ВАХ элементов ИС внедрены в программу схемотехнического моделирования САПР "КИПАРИС", который используется в Государственном Научно-исследовательском Институте Физических Проблем им. Ф.В. Лукина и Московском Государственном Институте Электронной Техники (МГИЭТ), что позволило решать задачи расчета аналого-цифровых ИС с большей, чем для аналогичной программы SPICE, размерностью.

На защиту выносятся.

1) Аналитическая модель статической ВФХ' МОП-структуры с неоднородно легированной подложкой, допускающая образование мелкого, с субмикронной глубиной залегания, р-п перехода.

  1. Квазидвумерная аналитическая модель субмикронного МОП-транзистора, последовательно учитывающая основные короткоканальные эффекты и непрерывным образом описывающая как крутой, так и пологий участок ВАХ.

  2. Алгоритм включения модели элементов ИС в программу схемотехнического моделирования, разработанный на основе нетрадиционной л-мерной квадратичной сплайн-интерполяции.

  3. Аналитическая модель формирования оптического изображения, получаемого от субмикронных элементов интегральных схем для определения геометрических размеров при некогерентном, монохроматическом и неполяризованном освещении.

Апробация работы. Основные результаты диссертации были представлены и обсуждены на отраслевом семинаре в г.Кишиневе 1989г., на VI Всесоюзном совещании в Г.Ростове 1990г., на Всесоюзной научно-технической конференция "Метрологические . проблемы . микроэлектроники" в п.Игнделеево, Московской области,-1991г., иа симпозиуме ^Microelectronic Manufacturing 95", Austin Texas USA, 1995, October. и Межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика-97", в г.Москве 1997г.

Публикации. Результаты . диссертационной работы опубликованы в 15 работах, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы (59 наименований) и одного приложения,

- 8 -изложена на 124 листах машинописного текста, включает 15 рисунков, 6 таблиц.

Похожие диссертации на Аналитические модели субмикронных МОП-приборов для использования в САПР и экстракция параметров их электро-физических характеристик