Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Деградационные процессы в тонкопленочных компонентах интегральных схем и их влияние на качество и надежность Акулинин, Станислав Алексеевич

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Акулинин, Станислав Алексеевич. Деградационные процессы в тонкопленочных компонентах интегральных схем и их влияние на качество и надежность : автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.01.- Воронеж, 1999.- 32 с.: ил.

Введение к работе

Актуальность темы. Полупроводниковые приборы и интегральные схемы составляют основу элементной базы современной радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Сложность и ответственность задач, выполняемых РЭА в системах управления технологическими процессами, в военной и космической областях, предъявляют повышенные требования к надежности комплектующих элементных средств. Проблема надежности особенно обострилась в середине 70-х годов, когда возникла необходимость в обеспечении интенсивности отказов 10"8-10"10 ч"1 и времени наработки до отказа 5-Ю4 -105 часов.

Можно указать на ряд принципиальных особенностей, характеризующих проблему обеспечения и оценки такого уровня надежности:

отказы ИЭТ будут определяться преимущественно деградационными процессами, связанными с такими явлениями, как диффузия, электромиграция, коррозия, инжекция горячих носителей, дрейф ионов на поверхности и в объеме диэлектрика;

подтверждение интенсивности отказов 10"8-10"10 ч'1 традиционными методами требует проведения испытаний нескольких сотен схем в течение десятков тысяч часов, что с технико-экономической точки зрения является неприемлемым.

В последние годы эта проблема еще более обострилась в связи с рас
ширением выпуска специализированных интегральных схем. Специализиро
ванные ИС характеризуются высокой степенью интеграции и функциональ
ной сложностью, необходимостью быстрого цикла внедрения и относительно
малыми объемами заказов, что не позволяет собрать большую статистиче
скую информацию, которая необходима для прогнозирования надежности
традиционными методами. .

В этих условиях возникла необходимость разработки новых принципов обеспечения качества и надежности и, прежде всего, перехода от традиционного подхода, основанного на испытании на "надежность" к "проектированию заданного уровня надежности". Реализация этой концепции предполагает наличие в распоряжении разработчика целой системы методов априорного анализа конструкций с целью выявления слабых мест, методов экспрессной оценки и учета дефектообразования при проведении технологических операций, системы сбора, хранения и обработки соответствующих данных. Таким образом современная концепция обеспечения надежности базируется на возрастающем объеме исследований надежности на этапе НИР и ОКР. При этом широкое применение для определения надежности изделий должны найти методы имитационного моделирование и методы ускоренных испытаний. Основой ускоренных испытаний является физика отказов, которая определяет виды и механизмы отказов, факторы, стимулирующие дегра-дационные процессы, и позволяет построить соответствующие модели процессов.

?

Важное значение в повышении надежности РЭА имеют методы отбраковки потенциально ненадежных схем. Эти методы базируются на современных автоматизированных средствах контроля с высокими метрологическими характеристиками и используются как на предприятии - производителе элементных средств, так и на входном контроле предприятия - разработчика аппаратуры. Развитие программного обеспечения мини-ЭВМ, в том числе СУБД, создало условия для проектирования иерархических систем входного контроля, обеспечивающих не только измерения параметров, но и сбор, хранение и последующую обработку параметров.

Исследования, направленные на разработку методов математического и физического моделирования, методов экспрессной оценки скорости деградации параметров и структур, на создание автоматизированных систем испытаний, сбора, хранения и обработки информации являются актуальными в настоящее время, так как способствуют реализации нового подхода во взаимоотношениях между потребителем и поставщиком, которые должны быть заложены в основополагающие нормативно-технические документы.

Цель и основные задачи диссертационной работы. Целью работы является развитие физического подхода к проблеме повышения надежности полупроводниковых приборов и ИС и разработка на этой основе предложений по повышению надежности элементной базы РЭА с длительными сроками функционирования.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

систематизация данных по видам и механизмам отказов в компонентах БИС с целью создания баз данных по видам и механизмам отказов и проведения экспертизы конструкций и технологии элементов;

математическое и физическое моделирование деградации электрических параметров систем металлизации, обусловленной явлениями электромиграции и коррозии, разработка методики ускоренных испытаний;

исследование закономерностей электрической релаксации и электрической прочности диэлектрических пленок SiCb, AI2O3, ТІО2 и разработка предложений по методам контроля и выбору перспективных диэлектриков и методов их получения;

проведение комплексных исследований применяемых и перспективных МДП систем с целью выяснения механизмов нестабильности эффективного поверхностного заряда, обусловленной ионными и электронными процессами, и разработка предложений по методам контроля технологического процесса, способам уменьшения нестабильности эффективного поверхностного заряда в системе Бі-ЗіОг-металл;

разработка методики, аппаратных и программных средств для ускоренных испытаний тестовых структур и оценки стабильности технологического процесса, новых конструктивно-технологических решений с позиции надежности;

разработка структуры системы входного контроля и реализация ее на базе современных аппаратных и программных средств;

разработка предложений по методам диагностического контроля и отбраковки потенциально ненадежных схем.

Научная новизна результатов исследования 1. Методами математического и физического моделирования установлены закономерности основных деградационных процессов в системе металлизации, в МДМ и МДП структурах:

на основе термодинамического подхода разработана модель коррозионных отказов в металлизации, получено выражение для времени наработки до отказа (т) и проведен анализ влияния температуры, электрического смещения, относительной влажности на наработку до отказа, обусловленного процессами коррозии. Степень зависимости х от прочностного параметра (ширины проводника) меньше единицы, поэтому период приработки отсутствует и отбраковочные испытания на коррозионную стойкость ухудшают надежность всей партии изделий;

впервые получены экспериментальные данные о закономерностях электрической релаксации в пленках SiC>2, AI2O3, ТЮ2 в диапазоне низких и инфранизких частот и ее связи с технологическими и физическими факторами. Установлено присутствие релаксационных процессов дебаевского типа и процессов с широким набором времен релаксаций в диапазоне 10"5-1О"3 с. Исследованы закономерности деградации электрической прочности , tg5 и є-систем Si-SiCb-MeTami (Al, Mo, NiCr) в процессе высокотемпературного старения и определены критерии качества пленок.

методами математического моделирования проведен анализ переноса ионов в МДМ и МДП структурах для общего случая присутствия в диэлектрике двух типов зарядов- подвижного и неподвижного. Показана возможность появления двух максимумов на кривых ДВАХ при локализации отрицательного фиксированного заряда в достаточно узкой области.

впервые экспериментально подтверждено влияние адсорбционно - де-сорбционных процессов на внешней границе МДП структур в присутствии каталитически активных центров на величину и стабильность эффективного поверхностного заряда в системах Si-SiC^-Al, Si-SKVSisNrAl, Si-Si02-Si3N4- поли Si;

проведен анализ параметрических отказов, обусловленных поверхностной миграцией ионов. Получено приближенное аналитическое решение задачи распределения потенциала вдоль поверхности диэлектрика в общем случае присутствия исходного и индуцированного зарядов. Разработана модель комплексного влияния температуры и относительной влажности на отказы , обусловленные образованием инверсионных каналов. Разработан метод оценки параметров поверхностной миграции ( концентрация и подвижность протонов);

установлены закономерности деградации напряжения плоских зон и порогового напряжения в МДП структурах Si-Si02-Al, Si-Si02- nSi (As, P), Si-Si02-Ti02- металл (A1,V,W.), Si-Si02-Si3N4-Al, Зі-БіОг-Біз^-полиБі, Si-Si02-A1203-A1, Si-Si02-MoSi2,-Si-Si02- iKMmSi-MoSi2;

  1. Разработана методика определения параметров диэлектрика (Nbat), определяющих изменение напряжения плоских Vfb = f(t) при инжекции горячих носителей. Разработаны алгоритм и программа оптимизации функции 2N переменных, аппроксимирующей изменение напряжения плоских зон. Алгоритм реализует поиск глобального минимума для функции многих переменных, имеющей локальные минимумы.

  2. Обоснована возможность диагностического контроля потенциально ненадежных ИС на основе оценки коэффициентов влияния внешних воздействий ( температура, питающее напряжение, уровни входных сигналов, нагрузочные токи), получаемых в условиях многофакторного эксперимента;

  3. Разработана структура аппаратно-программных средств автоматизированной системы входного и неразрушающего диагностического контроля .

Практическая значимость Результаты исследований решают проблему снижения интенсивности отказов і обусловленных деградационными процессами в системе металлизации, в МДМ и МДП структурах и способствуют повышению надежности элементной базы.

1. Разработаны и внедрены:

методика оценки показателей надежности алюминиевой металлизации относительно элекгромиграционных отказов;

методика пересчета результатов ускоренных испытаний алюминиевой металлизации на коррозионную стойкость на нормальный режим работы;

методика оценки параметров поверхностной проводимости диэлектрического слоя структуры диэлектрик-проводник;

программы расчета параметров МДП структур - напряжения плоских зон, величины поверхностного заряда, плотности поверхностных состояний, концентрации и профиля распределения примесей для системы контроля технологического процесса на базе тестера Т4503 и ЭВМ "Электроника 100-25";

программа расчета параметров статической модели КМОП инвертора с учетом влияния инжекции горячих носителей на деградацию порогового напряжения;

тестовые структуры для контроля различных этапов технологического процесса производства КМОП БИС с целью обеспечения требуемого уровня качества и надежности.

2. Усовершенствованы методики и разработаны установки для контроля
параметров МДП структур и ИС, в том числе:

установка контроля электрической прочности методом самозалечивающихся микропробоев;

установка контроля стабильности поверхностного заряда в МДП системах методом динамических вольт-амперных характеристик;

автоматизированный комплекс для измерения параметров МДП систем и обработки результатов измерений на базе ЭВМ "Электроника-60";

испытательный комплекс для исследования надежности ИС, включающий тестер Т4503, ЭВМ "Электроника-60" и "Электроника 100-25", универсальный испытательный стенд "УНТИС-1".

3. Выработаны рекомендации по оптимизации базового технологическо
го процесса создания подзатворного диэлектрика МДП БИС и мощных МОП
транзисторов в научно-исследовательском институте электронной техники
(НИИЭТ, г. Воронеж) и на Воронежском заводе полупроводниковых прибо
ров.

4. Разработаны и внедрены на ряде предприятий MOM и МПСС:
критерии-рекомендации для экспертной оценки элементных средств

высоконадежной РЭА;

программные средства управления тестерами Т4503, УТ1, ДК675;

программные средства двухуровневой системы входного контроля элементных средств высоконадежной РЭА;

программные средства научно-технической системы наблюдений и диагностики высоконадежной технологической линии;

методика диагностического контроля ИС, основанная на использовании многофакторных испытаний.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту 1. Результаты физического и математического моделирования деграда-ционных процессов в системе металлизации ИС:

модель коррозионного разрушения металлизации и рассчитанные на ее основе значения коэффициентов ускорения по отношению к относительной влажности, температуре, напряжению;

вывод об отсутствии периода приработки при испытаниях на устойчивость к коррозии при установленном характере зависимости времени наработки до отказа от прочностного параметра ( т~х ш, где т<1) , что исключает возможность отбраковки потенциально ненадежных схем и приводит к снижению надежности всей партии изделий;

методику проведения и обработки результатов ускоренных испытаний на устойчивость к электромиграции;

методику расчета показателей надежности металлизации, учитывающую структурные характеристики пленки, конструктивно-технологические параметры, статистический характер распределения дефектов в пленке.

  1. Закономерности диэлектрической релаксации в пленках Si02, AI2O3, Ті02 в диапазоне частот 10 "'-Ю4 Гц и их связь с технологическими и физическими факторами; обоснование возможности использования дисперсионных характеристик е= f (со), tgS = f (со), наряду с характеристиками микропробоев и динамическими ВАХ, для оценки качества диэлектрических пленок.

  2. Результаты физического и математического моделирования деграда-ционных процессов в МДМ и МДП структурах, обусловленных электронными и ионными процессами:

результаты численного моделирования миграции подвижного заряда в МДП структурах с блокирующими электродами для общего случая присутствия подвижного и произвольно распределенного фиксированного заряда, в том числе возможность появления двух максимумов на ДВАХ при локализации фиксированного заряда в достаточно узкой области;

прямые экспериментальные доказательства влияния адсорбционно-десорбционных процессов на верхней границе МДП структур на величину и кинетику миграции подвижного заряда;

приближенное аналитическое решение задачи о распределении потенциала при поверхностной миграции для общего случая произвольного соотношения между исходным и индуцированным зарядами;

расчет времени наработки до отказа, обусловленного образованием инверсионного слоя, и коэффициентов ускорения для различных уровней относительной влажности, напряжения и температуры.

  1. Теоретическое и экспериментальное обоснование возможности повышения стабильности порогового напряжения в МДП транзисторах с двухслойным диэлектриком (системы З^ЗЮг^з^-металл, Si-SiCyAljCyMeraiui, Si-Si02-Ti02-MeTami), в результате уменьшения подвижности ионов во втором диэлектрике и снижения термодинамической активности внешней границы.

  2. Комплекс методических, аппаратных и программных средств для измерения C-V характеристик МДП структур и расчета на их основе электрофизических параметров границы раздела Si-Si02; результаты исследований влияния физической структуры МДП системы и технологических факторов на величину и стабильность эффективного поверхностного заряда в системах Si-Si02- Si(As,P), Si- БіСуполи Si-MoSi2 и полученные на их основе рекомендации по оптимизации базового технологического процесса получения подза-творного диэлектрика.

  3. Методика диагностирования потенциально-ненадежных схем на основе оценки коэффициентов влияния внешних факторов и программные средства для подсистемы ИС, реализующие эту методику в автоматическом режиме.

  4. Комплекс аппаратных и программных средств, реализующих задачу контроля и диагностики дискретных компонент, ИС и БИС, накопление, хра-

нение и обработку данных по отказам в процессе производства и эксплуатации РЭА.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались и обсуждались на следующих конференциях, совещаниях, семинарах: IV Всесоюзном совещании по электронным процессам на поверхности полупроводников (Киев, 1971); Всесоюзной научной конференции "Основные задачи микроэлектроники и области ее применения" (Москва, 1972); VI Всесоюзной научной конференции по механизмам релаксационных явлений в твердых телах (Каунас, 1973); Всесоюзной конференции "Физика диэлектриков и перспективы ее развития" (Ленинград, 1973); Второй межотраслевой научной конференции "Тонкие пленки в интегральных схемах и ионные методы создания пленочных структур" (Киев,1976); Всесоюзном научно-техническом семинаре "Пути повышения стабильности, надежности микроэлементов и микросхем" (Рязань, 1976,1981,1984); VI Всесоюзном совещании по физике поверхностных явлений в полупроводниках (Киев,1977); Ш Республиканской конференции молодых ученых "Вопросы микроэлектроники и физика полупроводниковых приборов" (Тбилиси,1977); III Всесоюзной конференции по микроэлектронике (Москва, 1978); Всесоюзной научно-технической конференции "Физика диэлектриков и новые области их применения" (Караганда,1978); Всесоюзном научно-техническом совещании "Пути повышения стабильности, качества и надежности цифровых измерительных приборов на микроэлектронной базе" (Краснодар,1977); Всесоюзной научно-технической конференции "Применение интегральных микросхем, микропроцессоров, микроЭВМ и микроэлектронной технологии в приборостроении" (Орел, 1979); VII Всесоюзной конференции "Механизмы релаксационных явлений в твердых телах" (Воронеж,1980); Всесоюзной научной конференции "Физика диэлектриков" (Баку,1982); Первой Всесоюзной конференции "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов" (Кишинев,1982); Всесоюзной научно-технической конференции "Теория и практика конструирования и обеспечения надежности и качества электронной аппаратуры и приборов" (Воронеж,1984); II и III Всесоюзном совещании по "Физике отказов" (Москва,1979, Суздаль,1984); II Всесоюзной конференции "Структура и электронные свойства границ зерен в металлах и полупроводниках" (Воронеж,1987); Всесоюзной конференции "Методы и средства диагностирования изделий электронной техники" (Москва, 1989); Международной научно-технической конференции "Физические аспекты надежности, методы и средства диагностированіи интегральных схем" (Воронеж, 1993); Межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика" (Москва, МИЭТ, 1997,1998).

Реализация результатов работы. Результаты исследований систем металлизации, МДМ и МДП систем были использованы для оптимизации кон-

структорско-технологических решений в процессе разработки БИС процессора цифровой обработки сигналов в НИИ электронной техники (г. Воронеж).

Комплекс аппаратных и программных средств для контроля параметров МДП структур внедрен на заводе полупроводниковых приборов (г. Воронеж) при контроле качества подзатворного диэлектрика в технологии мощных МДП транзисторов и МОП БИС (К1830ВЕ51, К1830ВЕ31).

Программные средства подсистем контроля параметров дискретных компонент, ИС внедрены на предприятиях п/я А 3759, п/я В-2793. Концепция входного контроля, комплекс программных средств автоматизированной системы входного контроля дискретных компонент, ИС, БИС и методы диагностики внедрены на предприятии Г4149.

На основе программных средств разработана и внедрена система научно-технических наблюдений (НИИЭТ г. Москва):

Общий экономический эффект от внедрения результатов исследований составил более 1,3 миллиона рублей (в ценах 1990 года).

Материалы диссертации, связанные с разработкой автоматизированной системы входного контроля, получены при выполнении комплексной программы "Разработка и внедрение в производство комплекса аппаратуры для нераз-рушающего диагностического контроля качества компонентов радиоэлектронной техники", удостоенной премии Совета Министров СССР за 1987 год.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 60 печатных работ в центральных и отраслевых научно-технических журналах и сборниках.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, шести глав, общих выводов, списка литературы из 406 названий и приложений, подтверждающих практическое использование и эффективность научно-технических разработок.

Похожие диссертации на Деградационные процессы в тонкопленочных компонентах интегральных схем и их влияние на качество и надежность