Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Технология создания омических контактов для полупроводниковых приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN Ванюхин Кирилл Дмитриевич

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Ванюхин Кирилл Дмитриевич. Технология создания омических контактов для полупроводниковых приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN: автореферат дис. ... кандидата технических наук: 05.27.01 / Ванюхин Кирилл Дмитриевич;[Место защиты: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", ods.mephi.ru].- Москва, 2015

Похожие диссертации на Технология создания омических контактов для полупроводниковых приборов на основе гетероструктур AlGaN/GaN и InGaN/GaN