Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Высокочастотная индукционная и плазменная обработка кремния и гетероструктур Суровцев, Игорь Степанович

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Суровцев, Игорь Степанович. Высокочастотная индукционная и плазменная обработка кремния и гетероструктур : автореферат дис. ... доктора технических наук : 05.27.01.- Воронеж, 1998.- 82 с.: ил.

Введение к работе

. Актуальность.

Современное развитие различных областей науки и техники и в первую очередь: физики и химии конденсированного состояния, физики полупроводников и диэлектриков, физики тонких пленок, катализа, твердотельной электроники, полупроводникового машиностроения в значительной степени зависит от успехов в изучении состава, структуры и свойств поверхностных слоев твердых тел и в разработке способов целенаправленного модифицирования этих слоев как путем обработки с помощью пучков различных частиц (электронов, ионов, фотонов, нейтральных атомов и молекул, химически активных радикалов и т.д.), воздействием температуры или электромагнитного поля, так и нанесением тонкопленочньгх слоев с различным составом и структурой. Особое значение эти проблемы приобретают в связи с развитием технологий микроэлектроники и наноэлектроники.

Среди способов воздействия на поверхностные слои различных материалов в последнее время все более широко используется низкотемпературная плазма, позволяющая реализовать изменение состава, структуры и свойств поверхностных слоев путем обработки ионами с различной энергией и химической активностью, а также нанесением тонких слоев широкого спектра материалов с необходимыми свойствами. Фундаментальные исследования ряда ведущих научных школ в области получения и исследования свойств плазмы (С.В.Дресвин, Л.С.Полак, Д.И.Словец-кий, В.Д.Русанов, Б.С.Данилин, Г.Ф.Ивановский и др.) позволили разработать общие основы теории и практики взаимодействия плазмы с различного рода материалами. Однако разнообразие аппаратурных решений и тем более использование плазменных процессов для производства конкретных изделий ставят перед исследователями все новые и новые задачи. К моменту постановки данной работы практически не были исследованы закономерности структурных, субструктурных и фазовых изменений при обработке поверхности кремния в ВЧ индукционном поле и низкотемпературной плазме. С другой стороны, в настоящее время достаточно хорошо разработаны методы анализа состава и структуры тонких поверхностных слоев твердых тел: электронная спектроскопия, ультрамягкая рентгеновская спектроскопия, элект-

ронография, оптическая спектроскопия и т.д. Это позволяет провести комплексное исследование эффектов обработки поверхности и приповерхностных слоев кремния и гетерогенных структур на его основе в ВЧ индукционном поле и низкотемпературной плазме.

Цель работы и задачи исследования.

Цель работы - разработка физико-химичесхих основ технологических процессов обработки поверхности кремния и гетерогенных структур на его основе в ВЧ индукционном поле и низкотемпературной плазме для твердотельной электроники.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

- разработать методики целенаправленного управления струк-
' турой и составом поверхностных слоев различных материалов под

воздействием ВЧ индукционного поля и низкотемпературной плазмы;

определить особенности начальной фазы плавления кремния и разработать процесс управляемого профилирования поверхности периферии монокристаллов;

установить закономерности генерации дислокаций при термообработке монокристаллов кремния в условиях радиального распределения температуры и изучить их влияние на субструктуру, оптические и электрофизические свойства кремния;

определить границы применимости плазмохимических методов обработки кремния и гетерогенных структур с точки зрения изменения элементного и фазового состава обработанной поверхности, ее структуры и основных электрофизических характеристик;

разработать способы минимизации негативных эффектов плазменной обработки поверхности кремния и гетерогенных структур на его основе; v

разработать физические принципы повышения эффективности плазменных методов, основанные на эффекте каталитической активации процессов плазмохимического травления;

разработать физико-химические основы и методики для целенаправленного формирования различных покрытий в ВЧ индукционной плазме атмосферного давления;

исследовать электрофизические свойства сформированных пленочных гетерогенных структур;

- определить возможности применения сканирующей туннельной микроскопии для анализа влияния ионных пучков на морфологию и структуру поверхностных слоев кремния.

Объекты и методы исследования.

В качестве основного объекта исследования использовался монокристаллический кремний, как основной материал современной электронной техники, наиболее изученный по составу, структуре и свойствам поверхностных слоев. Это позволяло достаточно определенно и достоверно утверждать о результатах влияния ВЧ индукционного поля и низкотемпературной плазмы на параметры поверхностных слоев: дефектность, наличие различных химических соединений и их проявление в свойствах.

Разработанные методики модифицирования поверхности проверяли на различных объектах: монокристаллы кремния, соединения типа А3В5, кварц, пленки диэлектриков, полупроводников и металлов.

Для анализа состава, структуры и свойств модифицированной поверхности различных материалов, изменения состава плазмы в процессе обработки поверхности конденсированных гетерогенных структур использовали комплекс методик: масс-спектро-метрия, Оже-спектроскопия, электронография, измерение вольт-фарадных характеристик МДП-структур, оптическая спектроскопия и спектрофотометрия, металлография, ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия, сканирующая туннельная микроскопия и др.

Научная новизна.

Разработаны новые физико-химические принципы целенаправленного воздействия на поверхностные слои монокристаллов кремния, управления структурой и составом слоев различных материалов с использованием ВЧ индукционного поля и низкотемпературной плазмы; предложены новые модели взаимодействия химически активной газоразрядной плазмы с поверхностью кремния и гетерогенных структур, установлены границы применимости плазменных методов для технологий твердотельной электроники с точки зрения изменения структурного, элементного и фазового состава поверхностных слоев.

Разработан комплекс новых способов модифицирования поверхности с субмикронным разрешением материалов электрон-

ной техники с различными свойствами: полупроводников, диэлектриков, металлов с использованием низкотемпературной плазмы различного состава и давления.

При этом обнаружены и исследованы следующие эффекты:

ориентированного канального проплавлення в алмазопо-добных полупроводниках, нагретых в ВЧ индукционном поле до состояния предплавления, предложена физическая модель пере-, распределения поля на структурных дефектах кристалла;

каталитической активации плазмохимического и радикального травления кварца под пленками серебра, разработаны физико-химические основы негативного каталитического плазмохи-мическое травления.

Практическая ценность и реализация результатов.

Исследования по теме диссертации проводились в соответствии с координационным планом АН СССР по направлению 2.21 "Физико-химические основы полупроводникового материаловедения", по грантам важнейших НТП Миннауки РФ и Минобразования РФ: "Перспективные материалы" и "Университеты России - фундаментальные исследования" в рамках важнейших НИР в ВГУ, по темам НИОКР совместно с ФТИ им.А.Ф.Иоффе (г.Санкт-Петербург), з-д "Электровыпрямитель" (г.Саранск), НИИЭТ и НИИПМ, НПО "Электроника" (г.Воронеж), НИИ ТЭЗ (г.Таллинн).

Полученные результаты имеют научное и практическое значение:

разработаны физико-химические основы взаимодействия низкотемпературной плазмы с поверхностными слоями твердых тел различной природы с целью модификации их состава, структуры и свойств;

предложено 20 принципиально новых способов модифицирования структуры и поверхности монокристаллов кремния, кварца и гетерогенных структур в ВЧ индукционном поле и плазме инертных и химически активных газов, которые защищены авторскими свидетельствами СССР на изобретения, патентами РФ и частично использованы при разработке новых технологий и изделий микро- и силовой электроники на перечисленных выше предприятиях;

разработаны принципиально новые способы и технологические регламенты получения пленок Si02, SixC Nz, SixCyOz в

7 плазме атмосферного давления, использованные при изготовлении силовых полупроводниковых приборов;

- разработаны способы и технологические режимы повышения эффективности плазмохимических методов травления, основанные на эффекте каталитической активации процесса серебром, позволяющие получить аномально высокие скорости обработки изделий из кварца.

На защиту выносятся:

  1. Комплекс разработанных методов целенаправленного управления структурой и составом поверхностных слоев различных материалов твердотельной электроники на основе воздействия ВЧ индукционного электромагнитного поля и низкотемпературной плазмы.

  2. Кинетические закономерности процесса плавления, профилирования и кристаллизации монокристаллов кремния в ВЧ индукционном электромагнитном поле.

  3. Закономерности взаимодействия химически активной газоразрядной плазмы низкого давления с поверхностью различных по природе материалов, аппаратурная и технологическая реализация процессов плазмохимического травления.

  4. Способы повышения эффективности и снижения экологической вредности плазменных методов травления, основанные на каталитической активации процесса.

  5. Технология получения пленок SiC, SiO„ Si С N , Si С О с помощью высокочастотной низкотемпературной плазмы атмосферного давления.

  6. Эффект ориентированного канального плавления и формоизменения алмазоподобных полупроводников при нагреве в ВЧ индукционном поле.

  7. Эффект "негативного" каталитического плазмохимического и радикального травления Si02.

Личный вклад автора в диссертационную работу.

Автор теоретически обосновал и сформулировал большинство основных научных положений, изложенных в работе; осуществил постановку и реализацию основных экспериментов по целенаправленной модификации поверхности монокремния и гетерогенных структур с использованием различных методов воздействия; провел основные исследования по кристаллоструктур-

ным изменениям, электрофизическим, оптическим свойствам, элементному и фазовому составу; проделал анализ и обобщил полученные результаты, часть которых была использована на предприятиях электронной и электротехнической промышленности.

Апробация работы.

Основные результаты работы были представлены на 35 региональных, республиканских, всесоюзных, международных конференциях, семинарах, симпозиумах, в частности, на:

Всесоюзном семинаре "Внедрение новых методов и материалов для производства силовых полупроводниковых приборов", Запорожье, 1974 г.

V Всесоюзной конференции "Повышение эффективности
силовых полупроводниковых приборов" Таллинн, 1975 г.

IV Всесоюзной конференции "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом", Харьков, 1976 г.

III Всесоюзном совещании "Дефекты структуры в полупро
водниках", Новосибирск, 1978 г.

Всесоюзном семинаре "Применение новых технологических методов и оборудования в производстве силовых полупроводниковых приборов", Кдджи-Сай, 1982 г.

IV Всесоюзном симпозиуме по плазмохимии, Днепропетровск,
1984 г. , .

VI Республиканском семинаре "Разработка, производство и
применение инструментальных материалов", Запорожье, 1990 г.

Международной конференции по электротехническим материалам и компонентам (МКЭМК-95), Москва, 1995 г.

X International Conference for Physics (ICPS'95), Copenhagen, Denmark 1995 r.

II и III Всероссийской конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники", Таганрог, 1995 г., 1996 г.

Международном семинаре "Рентгеновские и электронные спектры химических соединений", Воронеж, 1996 г.

17th International Conference Х-Ray and Inner-Shell Processes, Hamburg, Germany, 1996 r.

I Всероссийской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния, Москва, 1996 г.

Конференции "Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов", Нижний Новгород, 1996 г.

11th European Conference On Solid-State Transducers "Eurosensors-XI", Warsaw, Poland, 1997.

Всероссийской научно-технической конференции "Современная электротехнология в машиностроении", Тула, 1997 г.

I и II Всероссийской научно-технической конференции "Электроника и информатика", Москва, 1996 г., 1997 г.

III Всероссийской конференции по физике полупроводников ("Полупроводники-97"), Москва, 1997 г.

I и II Конференции "Реализация региональных научно-технических программ Центрально-Черноземного региона", Воронеж, 1996 г., 1997 г.

Публикации.

Основное содержание работы опубликовано в 22 научных статьях в центральной печати, вышедших отдельными брошюрами и в журналах:

"Известия АН СССР, сер. Неорганические материалы", "Журнал технической физики", "Физика и химия обработки материалов", "Поверхность. Физика, химия, механика", "Электронная обработка материалов", "Перспективные материалы", "Электронная техника", "Известия вузов. Сер. Электроника".

Новизна разработанных технических решений подтверждается 15 авторскими свидетельствами СССР на изобретения и 5 патентами РФ.

Общее число публикаций по теме диссертации - 81.

Ссылки в тексте на цитируемую литературу имеют индекс
"Ц", ссылки на опубликованные работы автора приведены без
индекса. ' "

Похожие диссертации на Высокочастотная индукционная и плазменная обработка кремния и гетероструктур