Введение к работе
Аїгтуальность темы. Вопросам контроля качества изделий в электронной промышленности традиционно уделяется серьезное внимание. В течении последних десятилетий на предприятиях - производителях электронных приборов объективно сложился приоритет технологий производства полупроводниковых приборов над технологиями контроля их качества.
Распространенные в настоящее время средства выходного контроля качества дискретных приборов, в частности, биполярных транзисторов, характеризуются моральным устареванием (разработаны 10-15 лет назад). Как отечественные, так и зарубежные измерительные системы в этой отрасли отличаются жесткой привязкой к специализированным аппаратным средствам и соответстствующему программному обеспечению. Существующие системы контроля качества полупроводниковых приборов характеризуются весьма ограниченным перечнем измеряемых параметров и характеристик, а также имеют ограниченные диапазоны измерений, не соответствующие современным требованиям.
Перечисленные факторы определяют актуальность разработки, изготовления и внедрения в технологический процесс производства дискретных приборов информационно-измерительных систем (ИИС), использующих современные универсальные программно-аппаратные платформы, для управления процессами измерения парамсгров, распределения приборов по группам качества, накопления и статистической обработки результатов испытаний.
Цель работы - исследование и разработка системы измерения параметров и характеристик дискретного полупроводникового прибора на примере мощного биполярного транзистора.
Поставленная цель предполагает решение следующих задач диссертационной работы:
- определение предметной области и постановка задач исследования и
разработки ИИС для исследования мощных биполярных транзисторов
(МТ),
- построение моделей процессов измерения и функционирования
системы как целого;
анализ и проектирование ИИС для контроля качества МТ,
„разработка и апробация программных и аппаратных средств экспериментального варианта исследуемой ИИС.
Методика исследования - комплексная, сочетающая анализ публикаций, теоретических исследований с привлечением методов теории агрегатов, теории автоматов и теории проектирования информационно-управляющих систем.
Научная новизна результатов заключается в следующем:
- построена инфологическая модель процесса измерения параметров и
характеристик мощного биполярного транзистора,
- предложена математическая модель (методика описания) .процесса
измерений в ИИС, базирующаяся на теории агрегатных систем и методе
управляющих последовательностей,
на основе теоретико-автоматного подхода разработана алгоритмическая модель процесса измерений и указаны условия ее применимости,
разработана методика проектирования ИИС дискретных полупроводниковых приборов.
Практическая ценность работы заключается в разработке и внедрении экспериментального варианта исследованной информационно-измерительной системы на производстве (АОЗТ "Элиз" и завод "Электронприбор"). Основные практические результаты заключаются в следующем:
на основе международных стандартов разработан профессионально ориентированный интерфейс пользователя ИИС,
созданы библиотеки прикладных программ, реализующие системные функции исследованной ИИС, а также соответствующие базы данных,
- проведена апробация экспериментального варианта ИИС путем
измерения комплекса электрических параметров мощных биполярных
транзисторов типов КТ846, КТ872, КТ8114 и др.,
- разработана библиотека прикладных программ обработки
результатов измерений, которая, совместно с базами данных ИИС, является
основой для экспертного анализа качества приборов и технологии их
изготовления.
Реализация результатов работы.
Результаты теоретических исследований были использованы при разработке архитектуры, математического и программного обеспечения опытного образца ИИС мощных транзисторов для предприятий электронной промышленности.
Разработанный опытный образец ИИС внедрен в производство мощных биполярных транзисторов на заводе "Электронприбор" (г. Фрязино Моск. обл.) на этапе контроля готовой продукции.
Апробация работы.
Основные научные результаты обсуждались на:
семинарах в Красноярском государственном техническом университете и заводе "Электронприбор"( г. Фрязино Моск. обл),
- международной конференции "Проблемы функционирования
информационных сетей" (Новосибирск, апрель 1991 г.),
- научно-технической конференции "Проблемы техники и технологии
XXI века"(Красноярск, март 1994 г.),
- конференции с международным участием "Интеграция науки и
производства в новых социально-экономических условиях" (Абакан, май
1994 г.),
- научно-практических конференциях "Проблемы информатизации
города" (Красноярск, апрель 1995 г. и ноябрь 1995 г.),
- международной конференции "Математическое моделирование в
электронике" (Львов, сентябрь 1995 г.).
Публикации. По результатам исследования опубликовано 7 работ.
Структура и объем дисертацин.
Диссертация - состоит из введения, четырех глав, заключения и приложений, изложенных на 142 страницах машинописного текста, содержит 18 рисунков, 3 таблицы. Список литературы содержит 123 наименования.
