Кристаллизация в системе InP-In0.53Oa0.47As с участием примесей Mn, Re и разработка приборов на основе данной системы Карлина, Людмила Борисовна

Данная диссертационная работа должна поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Карлина, Людмила Борисовна. Кристаллизация в системе InP-In0.53Oa0.47As с участием примесей Mn, Re и разработка приборов на основе данной системы : автореферат дис. ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10.- Санкт-Петербург, 1993.- 15 с.: ил.

Похожие диссертации на Кристаллизация в системе InP-In0.53Oa0.47As с участием примесей Mn, Re и разработка приборов на основе данной системы

Поверхностные явления и наноразмерные эффекты при кристаллизации в гетерофазных системахКаневский, Владимир Михайлович

Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шумаЕРМАЧИХИН АЛЕКСАНДР ВАЛЕРЬЕВИЧ

Динамика электронных состояний в слоистых системах на основе эпитаксиальных феррит-гранатовых пленокКожухарь Анатолий Юрьевич

Эффекты локализации и интерференции в низкоразмерных системах на основе кремния и арсенида галлияОльшанецкий, Евгений Борисович

Энергетическая структура, оптическое поглощение и процессы рассеивания в низкоразмерных системах на основе узкощелевых полупроводников A4B6Забудский, Вячеслав Владимирович

Квантоворазмерные гетероструктуры в системе GaAs/AlGaAs : (Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств)Копьев, Петр Сергеевич

Нелинейные колебательные системы на основе одно- и двухпереходных полупроводниковых структурКуликов, Олег Николаевич

Создание и исследование наногетероструктур в узкозонных системах на основе арсенида индияРоманов, Вячеслав Витальевич

Исследование излучательной рекомбинации винжекционных лазерных структурах на основе квантовых точек в системе (In,Ga,Al)AsГордеев, Никита Юрьевич

Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAsКузьменков Александр Георгиевич