Введение к работе
Актуальность темы: полупроводники типа нонохалькогенидов таллия.
1+ з+ 1+
возглавляемые соединением Tise - Ті t Ті Se } . охватывают
2 сегодня большое число материалов с весьнэ широким набором их
Физических параметров. Обшиє кристаллоструктурные и химические
особенности этого класса соединения, объединявшие их в єдиную
группу, обусловлена^ особой электронной конвигураиией элемента
таллия.
изучение полупроводников данного типа получило широкий
размах с открытием их новьж трехкомпонеитных аналогов, как впервые
предсказано и экспериментально подтвержаено гусеиновын г. Д..
(1966 - 1973 г. г.), трехкомпонентные аналоги бинарных
\* з* 1* нонохалькогенидов таллия ті t ті х і , ( где X - s , se . те )
г 3+ i-
могут быть получены замещением анионного радикала іті х ) в
2 них iij соответствующие радикалы других разноименных трехвалентных
3* 1-катионов IK х J где трехвалентными катионами ногут быть
z з* з+
разноименные элементы третьей "/г группы <к = в = in. Ga).
З* 3 + редкоземельные элементы (К = К : Y, Dy. sm, БГ. Tb. EU И Т. Д. I и
3* 3 + переходные металлы (К = п Fe, со, сг и т.д.). способные
проявить трехвалентные состояния.
причем, тройные соединения данного типа с участием катионов
3+ 3* 3*
н (Fe , Со ). характеризуемые в известных халькогенидах также
тетраэярическои координацией, в отличие от таких соединений с
3 +
участием R , должны проявлять более БЛИЗКУЮ СТРУКТУРНО
! 3« VI
координационную аналогию с соединениями типа г і tl х и
Ч 3* VI 2
ті в х . наряду с этим, новые полупроводниковые соединения
типа TiHX ; также как соединения ПРХ , должны проявлять и
г ' . г
магнитные свойства слоисто-иепочечных структур.
В свгіте отмеченных выше соображении особый интерес
представляют изучение Физико-химического взаимодействия
соответствующих нагнитных и ненагнитных представителей низкоразмерных полупроводников указанного типа с последующим обстоятельным исследованием особенностей их электронных и магнитных свойств, что и . сделано в настоящей работе на примере систем TiGa Fe S ю « ,< п. из исходных компонент панной системы
1-Х X Z
соединение TiFes к началу наших Исследований, в отмеченном выше
z аспекте . особенно в плане его полупроводниковых свойств,
оставалось совершенно не изученным ; Не изученными оставались
также и твердые растворы на осново исходных компонент.
целью настоящей диссертационной работы является выявление
особенностей электрофизических и магнитных свойств новых магнитных
ПОЛУПРОВОДНИКОВ. TiGa Fe S (О s< X ч< 1 ).
i-y. f. г для достижения указанной иели поставлены следующие задачи.
1. Построить диаграммы состояния псевдобинарной системы TiGaS -
г -TiFes ; установить границы областей взаимной Растворимости. '
2. Разработать технологии и вырастить однородные нонокристаллы из
области гомогенности системы tig a Fe s (О * х ^ і);
1-х х 2
3. изучить электрические. Фотоэлектрические и оптические свойства
вырашенных монокристаллов систем TiGa Fe s <о*х<п . выявить
1-Х * 3-. полупроводниковый характер и особенности зонной структуры данных
материалов. .
1. Выявить особенности гамма-резонансных спектров содержащих
железо (х ^ О) кристалов системы ткза Fe s (о .$ х « і) при
1-х х z различных температурах.
Научная новизна: межслоевое взаимодействие в широкозошшх
слоистых кристаллах типа TiGas приводит к образованию
' . г соответствующих специфических энергетических зон. отличающихся
аномально высокой чувствительностью к изменению температуры и
вариации составапосрєдством внутрислсєвого замещения Ga - Fe.
основные положения выносимые на зашиту:
і. трехкомпонентное соединение TiFes и твердые растворы занешения
2 на его основе TiGa Fe s <х-о,9-і) являются новыми характерными
1-х х 2 суперпаранагнитными полупроводниками.
2. незначительное частичное занешение немагнитных ионов галлия в
з* тетраэдрах, на соответствующие магнитные ионы (Fe ) привоаит к
усилению нежслоевых связей и резкой перестройке Фотоэлектронных
спектров кристаллов TiGas .
2 практическая ценность полученных результатов:
кристаллы Тіла Fe S являются перспективными материалами для
1-х х 2 создания приемников излучения в видимой. ближней ик- и
рентгеновской областях спектра.
Апробация работы: основные результаты диссертационной работы доложены на Fv Всесоюзной конференции "Тройные полупроводники и их применение" (г. Кишинев, 1983г.), vii всесоюзной конференции "Химия, Физика и техническое применение халысогенидов"(г. Ужгород, 1988) и семинаре лаборатории "Кристаллофизики" института физики АН Азербайджанской республики.
Публикации: по материалам диссертации опубликование и печатных работ, в том числе 1 авторское свидетельство.
Обьем и структура работы: диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Обший обьем работы составляет 160 страниц машинописного текста.
