Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин Булатов Андрей Николаевич

Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин
<
Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин
>

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Булатов Андрей Николаевич. Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин : Дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 Москва, 2005 106 с. РГБ ОД, 61:06-5/485

Введение к работе

ptvCZl О(

Актуальность работы

Задача уменьшения линейных размеров используемых элементов -одна из основных в микросистемной технике. Создание элементов устройств с характерными размерами порядка единиц и десятков нанометров требует от разработчиков применение новых материалов и технологий. Однако остается не решенными ряд технологических проблем: перегрев микросхем, увеличение вклада в временные задержки межсоединений и т.д. Дальнейшие повышение быстродействия микросхем (вплоть до терагерц) может быть связанно не только с уменьшением линейных размеров элементов, но также с использованием новых механизмов транспорта носителя заряда в структурах. Ежегодно растет число публикаций, в которых заявляется, что на смену кремневой электронике придет металлическая, полимерная или углеродная электроника. Уменьшение размеров интегральных схем приводит к увеличению скорости работы элементов электроники, уменьшению потребления энергии и себестоимости изготовления.

В настоящее время активно исследуются типы приборов на основе одномерных (квазиодномерных) проводников, обладающие очень малыми поперечными размерами структур. Нанопроводники можно различать по технологическим приемам и методам их создания, а также принципам их работы. Можно выделить четыре вида нанопроводов: металлические наносужения, нанотрубки, молекулярные провода, проволоки в гетероструктурах. Каждый из данных проводников имеет свои достоинства и недостатки.

В последние годы развивается направление, основанное на создании и использовании металлических наносужений (квазиодномерные проводники) в качестве активных и пассивных элементов электроники. Свойства данного вида нанопроводников необычны и во многом уникальны. В зарубежных публикациях постоянно появляются работы, связанные с обнаружением новых свойств или созданием уникальных приборов на основе тех или иных видов металлических наносужений. В области электроники ведутся работы по созданию замещающих элементов и аналогов диодов на их основе.

За последние десять лет были развиты технологические приемы создания нанопроводов и наносужений с поперечным диаметром канала до 1 нм. Основным методом создания тонких перемычек в

3' -:.]

металлических проводах стало использование сканирующих туннельных микроскопов. При этом канал формировался вертикально между иглой микроскопа и подложкой (или другой иглой). Недостатком данного типа формирования является невоспроизводимость результатов, а также невозможность реализации третьего электрода затвора, и проблемы при интеграции в более сложные структуры. Решением проблемы стало использование кантилеверов сканирующих атомно-силовых микроскопов, позволяющих модифицировать поверхность планарных структур, в том числе и тонких пленок, на поверхности подложек.

Развитие индустриальной субмикронной технологии на основе новых материалов, станет возможным только после скрупулезной отработки методов получения структур и рабочих элементов в лабораторных условиях. Поэтому необходимость разработки надежной и воспроизводимой технологии формирования подобных элементов, всестороннего изучения параметров функционирования, а также усовершенствования методов зондовой микроскопии для исследования объектов наноэлектроники при решении более широкого круга задач определяет актуальность данной диссертационной работы.

Цель работы и задачи

Целью диссертационной работы являлась разработка методик формирования планарных элементов наноэлектроники на основе металлических и углеродных квазиодномерных нанопроводов, исследование их электрофизических свойств и создание макетов функциональных устройств на их основе. Для достижения данной цели были поставлены следующие задачи:

S исследовать особенности функционирования квазиодномерных нанопроводников;

S разработать метод формирования металлических и углеродных нанопроводников на основе локального анодного окисления (ЛАО) в атомно-силовом микроскопе (АСМ);

S исследовать электрические свойства наносужений, созданных из различных материалов;

S разработать технологический маршрут формирования структур для исследования электрофизических свойств квазиодномерного проводника;

S исследовать проводимость и полевой эффект в структурах на основе квазиодномерных металлических проводников;

S провести анализ механизмов электропроводности в квазиодномерном канале.

Научная новизна работы

S Доказана возможность создания квазиодномерных проводников из различных анодируемых металлических и углеродных пленок, проводимость которых управляется внешним поперечным электрическим полем при комнатных температурах.

S Найдены зависимости размеров толщины и ширины каналов, полученных ЛАО в атомно-силовом микроскопе, от материала кантилеверов, относительной влажности воздуха и от силы электростатического взаимодействия в системе зовд-адсорбат-анодоокисляемый металл.

Предложена методика определения толщины адсорбата воздуха на поверхности различных пленок.

Установлены закономерности модуляции проводимости планарных структур на основе квазиодномерных проводников.

Достоверность научных положений, результатов и выводов

Полученные экспериментальные результаты и разработанные методики подтверждаются известными теоретическими моделями и экспериментальными результатами других авторов.

Теоретическая значимость исследования состоит в выявлении закономерностей проводимости планарных структур на основе металлических квазиодномерных проводников. Основные положения и выводы, содержащиеся в диссертации, могут быть использованы при дальнейшем развитии теории электронного транспорта элементов на основе металлических проводников.

Практическая значимость исследования состоит в том, что полученные результаты могут быть применены в процессе создания новой элементной базы наноэлектроники. Кроме того, результаты исследования используются в преподавании курсов «Основы зондовой микроскопии» и «Основы зондовых нанотехнологий».

Основные научные положения, выносимые на зашиту

1. Метод локального анодного окисления может использоваться для создания квазиодномерных элементов, проводимость которых управляется внешним поперечным электрическим полем при комнатных температурах.

  1. Закономерности формирования квазиодномерных проводников методом ЛАО от материала кантилеверов, относительной влажности воздуха и от силы электростатического взаимодействия в системе зонд-адсорбат-анодируемый металл.

  2. Закономерности модуляции проводимости квазиодномерных проводников во внешнем поперечном электрическом поле.

  3. Методика определения толщины адсорбата воздуха на поверхности подложек из различных материалов.

Публикации

По теме диссертации опубликовано 12 научных работ, из них 5 статей, в том числе в журналах:

"Известия вузов, Электроника" - 3,

"Микросистемная техника" -1,

"Society of photo-optical instrumentation engineers (SPIE)" - 1.

Личный вклад автора

В основу диссертации легли результаты исследований, выполненных автором на кафедре «Квантовой физики и наноэлектроникго) и в учебно-научном центре зондовой микроскопии и нанотехнологий Московского государственного института электронной техники.

Апробаиия работы

Материалы диссертации были представлены на следующих конференциях, семинарах и конкурсах работ:

S IV Международная научно-техническая конференция «Электроника и информатика » (Москва, 2002);

S X всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Москва, 2003);

S VII всероссийское Совещание-семинар «Инженерно-физические проблемы новой техники» (Москва, 2003);

S International conference "Місго-and nanoelectronics". (Moscov-Zvenigorod, Russia, 2003);

S IV Международная научная конференция «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологий» (Кисловодск, 2004);

S IX Международная научно-техническая конференция «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 2004);

S XI всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика» (Москва, 2004).

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, списка сокращений, списка литературы. Диссертация изложена на 102 страницах, из которых 94 составляет основной текст работы, включает 39 рисунков и 3 таблиц. Список литературы содержит 78 источников, включая 12 работы с участием автора.

Похожие диссертации на Формирование и электрические свойства планарных элементов на основе металлических и углеродных пленок наноразмерных толщин