Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений Поляков, Вадим Витальевич

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Поляков, Вадим Витальевич. Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01.- Таганрог, 1995.- 135 с.: ил. РГБ ОД, 61 96-5/918-1

Введение к работе

Актуальность темы. Развитие микроэлектроники ' по пути уменьшения размеров элементов интегральных схем вызывает необходимость создания новых высокоэффективных технологий, снижанцих или устраняющих недостатки традиционных методов формирования микросхем, связанные с высокими температурно -временными реяимами.

Для повышения степени интеграции, надекнрсти, долговечности и быстродействия интегральных схем необходимо снижение температуры и (или) длительности используемых при их изготовлении технологических операций очистки, окисления или осаадения окисла на поверхности пластин, перераспределения примеси и различных термических обработок.

Наиболее перспективным методом обеспечивающим снижение длительности термических операций является импульсная термообработка (ИТО). диапазон длительностей температурного воздействия при использсвашш ИТО достаточно широк: от пикосекунд до десятков- секунд. Но наибольшее распространение в силу экономичности, отсутствия градиентов температуры по толщине подложки, возможности точного контроля температуры получил, так называемый, режим теплового баланса, основанный на применении ИК излучения галогенных ламп с длительностью импульса термообработки от единиц до десятков секунд.

Наряду с этим, зарекомендовало себя в последнее время использование оптического излучения для инициирования химических реакций в газовой фазе и структурных превращений в поверхностном слое при проведении процессов осаждения металлических, полупроводниковых'и диэлектрических пленок, а также травлении и легировании. Резонансное возбуждение и. селективный разрыв химических связей молекул оптическим излученем УФ диапазона позволяет значительно снизить температуру протекания процессов в газовой фазе и на поверхности. Однако, практическое применение УФ обработки ограничено недостаточной изученностью физико-химических процессов, протекающих в зоне реакции.

Кроме того, в литературе отсутствуют работы по совместному использованию ИТО и УФ излучения, для уменьшения длительности термообработки с помощью ИТО, и одновременного снижения ее

температуры за счет снижения энергии активации процессов.

Цель и задачи работы. Целью ' данной .диссертационной работы является исследование ( врзмокности совместного использования УФ и НК излучений для ташкеншг температуры и длительности процессов рсавдэния диоксида кремния, окисления пленок металлов, перераспределения примеси и очистки поверхности кремкяевой подложки.

Для достижения поставленной це лі решались следующие задачи: создание необходимого оборудования для проведения процессов очистки поверхности, осаждения диоксида кремния, окисления пленок металлов и перераспределения примеси с совместным использованием УФ и ИК излучений;

теоретически проанализированы и промоделированы v фотохимическке реакции при осавдеяии диоксида кремния кз газовой фазы ТЗОС/02 сиспользованием УФ облучения;

. - исследованы 'физико-химические- процессы, протекающие при осаждении Si02 на поверхность кремния в условиях ШС и УФ облучения, а также качество получаемой пленки;

- исследовано совместное влияние ИК и УФ облучения на
- перераспределение примеси в конно--легированяых слоях кремния.

Научная новизна работы

- впервые, на основании термодинамических расчетов, получены
энтропия и энтальпия тетраэтокспсиланэ (ТЭОС) в газсосразном
состоянии;

построена кинетическая модель для расчета скорости осаждения диоксида креміил;

рассчитана энергия активации диссоциации ТЭОС; показано, что УФ излучение понижает энергию активации молекулы ТЗОС в 3 раза по сравнению, с неактивированным состоянием;

на основе рассмотрения спектров поглощения кремниевой подложкой УФ и ИК излучения показано, что интенсивное поглощение УЬ излучения и разогрев приповерхностного слоя ло всей глубине поглощения УФ происходит до температуры 600-700С;

установлено, что' под действием МТО с УФ стимуляцией происходит снижение длительности перераспределения прі'Л'еси в ионно-легироваиных слоях в 2-4 раза за счет увеличения коэффициента диффузии в і/ісг-Б'ІСг раз по сравнению с КТО ос з УФ, при чем коэффициент ускорения диффузии уменьшаемся с

увеличением времени отжига по закону exp(-t/t);

- показано, что наибольшее влияние но полупроводниковые
приборы при ИТО оказывает УФ составляющая спектра излучения.

Практическая значимость

- разработан пакет программ "CVD-I" для расчета режимов,
необходимых для получения диоксида кремния при фотохимическом
разложении ТЭОС/Ог,;

создана лабораторная установка для фотохимического осаждения диоксида кремния толщиной до 180пм на пластины диаметром до 76мм из смеси ТЭОС/0, в температурном диапазоне 200-Ь00С;

создан ряд установок для импульсной термообработки полупроводниковых структур излучением галогенных ламп в секундной длительности облучения, е том числе и с УФ стимуляцией, в температурном диапазоне 300-1350С, позволяющих обрабатывать пластины диаметром дс ЮОмм в условиях опытного и серийного производства;

на основании экспериментальных исследований' адгезии алюминиевых пленок и фоторезиста установлено, что УФ излучение и ИТО повышает в 2 раза эффективность очистки поверхности кремния по сравнению со стандартной жидкостной обработкой;

- на основе технологии с применением ИТО и УФ стимуляции
созданы структуры двухслойных окислов, отличающиеся
терморезистивнши и газочувствительными свойствами.

Диссертационные исследования являются частью плановых научно-исследовательских работ лаборатории новых технологий кафедры "Микроэлектроники и технологии БИС Таганрогского Государственного радиотехнического университета, выполняемых в период 1992-1997- гг. по единому заказу-наряду Государственного Комитета Российской Федерации по Высшему образованию и финансируемому из средств Госбюджета, а также хоздоговорных работ (№1 113325, 13328, 13332, 13353), выполненных в ТРТУ в 1У87-19аь гг.

основные положения выносимые на защиту:

- совместное использование УФ и ОТО при очистке поверхности
кремниевой подложи улучшает эффективность очистки в 2 раза по
сравнению с жидкостной отмывкой;

- кинетическая модель для расчета скорости осаждения

диоксида кремния при фотохимическом-разложении ТЭОС/0,;

УФ излучение в качестве активирующего воздействия понижает энергию активации молекулы ТЭОС в 3 раза по сравнению с неактивированным состоянием;

показано, что в результате ИТО с применением УФ излучения возникает поверхностный разогрев по всея глубине поглощения УФ только при температурах отжига до 700С;

- применение ИТо с УФ стимуляцией сникает длительность
перераспределения примеси в ионно-легированЕШС слоях в 2-4 раза
за счет увеличения коэффициента диффузии в І"ІО~-Б*ІСг раз по
сравнению с ИТО без УФ, при этом коэффициент ускорения 'диффузий
уменьшается с увеличением времени отжига по закону exp'(-t/t);

- при ИТО наибольшее влияние на полупроводниковые структуры
оказывает УФ составляющая спектра.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и представлялись на Всесоюзном научно-техническом семинаре "Радиационная технология в производстве интегральных схем" (г.Воронеж, 1988г.), Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы фундаментальных наук" (г.Москва, 1991г.), VI Всесоюзной научно-технической конференции "Применение электронно-ионной технологии в народном хозяйстве" (г.Москва, 1991г.), Международной конференции "Advanced and laser technologies - ALT'92" (Moscow, 1992г.), Всероссийской научно-технической конференцій с Международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (г.Таганрог, 1994г.), научно-технической конференции "Вакуумная наука и техника" (г.Гурзуф, 1994г.), на ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ (г.Таганрог, 1986-1995 гг.).

дублшсации. По результатам диссертационной работы -опубликовано 14 печатных работ,, получено 4 авторских свидетельства на изобретения.

Объем работы. Диссертация-состоит из ввздения, пяти глав, заключения, списка цитированной литературы из 87 наименований. Общий объем диссертации 135 стр., включая 31 стр. иллюстраций, 9 таблиц.

Похожие диссертации на Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений