Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур Гусев Евгений Юрьевич

Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур
<
Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур
>

Диссертация, - 480 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Автореферат - бесплатно, доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Гусев Евгений Юрьевич. Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.01 / Гусев Евгений Юрьевич; [Место защиты: Технол. ин-т Юж. федер. ун-та].- Таганрог, 2009.- 171 с.: ил. РГБ ОД, 61 10-5/1087

Введение к работе

Актуальность работы

Приборы на основе подложек и эпитаксиальных слоев (ЭС) карбида кремния (SiC) являются базой широкого класса устройств микро- и наноэлектроники работающих в экстремальных условиях - при высоких температурах, мощностях, частотах и агрессивных средах. В связи с повышением степени интеграции структурных элементов приборов на SiC требования к поверхности подложек носят комплексный характер (по химической чистоте, стехиометрии структуры, атомарно-гладкой морфологии).

Основным недостатком при формировании приборов на SiC является низкий процент выхода годных изделий, определяемый состоянием поверхности подложек - рельефом и наличием нарушенного слоя (НС). Необходимым условием улучшения качества формируемых структур является совершенствование технологии подготовки поверхности подложек SiC.

В промышленности для получения поверхности подложек SiC требуемого качества используются технологии на основе химико-механической полировки (ХМП). Ограничением ее применимости является формирование остаточного НС, загрязнение поверхности агрессивными реагентами, неэкологичность способа. При этом для удаления НС применяются дополнительный плазменный или водородный отжиг, который может привести к увеличению шероховатости поверхности.

Следовательно, для получения бездефектных монокристаллических подложек и ЭС SiC требуется разработка новых способов формирования поверхности с морфологией близкой к атомарно-гладкой и отсутствием НС.

Анализ отечественных и зарубежных работ в этой области показал перспективность электронно-лучевой обработки (ЭЛО) при формировании поверхности полупроводниковых и диэлектрических материалов (уменьшение шероховатости, удаление НС и очистка), отличающейся большей технологичностью, простотой управления, химической чистотой процесса, вакуумной совместимостью с другими технологическими процессами.

Отсутствие комплексных физико-технологических исследований электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC является основным препятствием внедрению ЭЛО в промышленном производстве эпитаксиальных микро- и наноструктур на основе SiC. Необходимость проведения таких исследований усиливается в связи с ускоренным развитием наноинустрии, где качество состояния поверхности подложек является определяющим.

Цель и задачи диссертационной работы

Целью диссертационной работы является разработка и исследование технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур.

Для достижения данной цели необходимо решить следующие задачи: обобщение и выявление особенностей и закономерностей методов подготовки поверхности монокристаллических подложек SiC для формирования на них микро- и наноструктур;

разработка комплексной модели физико-химических процессов формирования поверхности монокристаллических подложек SiC при обработке структуры Si/SiC движущимся низкоэнергетическим ленточным электронным лучом, которая учитывает нелинейные температурные зависимости теплофизических и физико-механических свойств материалов структуры;

теоретическое исследование термодинамических закономерностей процессов межфазного взаимодействия в системе расплав Si - подложка SiC;

разработка методики оптимизации режимов электронно-лучевой обработки поверхности монокристаллических подложек SiC;

исследование влияния электронно-лучевой обработки на морфологию поверхности монокристаллических подложек SiC и электрофизические характеристики тестовых структур.

Объект исследования

Образцы монокристаллических подложек n-6H-SiC.

Научная новизна работы

  1. Разработана комплексная модель физико-химических процессов формирования поверхности монокристаллических подложек SiC при ЭЛО структуры Si/SiC, с учетом температурной зависимости теплофизических и физико-механических свойств материалов структуры.

  2. Установлены термодинамические закономерности процессов межфазного взаимодействия расплава Si с подложкой SiC с учетом нелинейных температурных зависимостей теплофизических свойств материалов структуры, и их корреляция с режимами ЭЛО структуры Si/SiC.

  3. Предложена кинетическая модель формирования близкой к атомарно-гладкой поверхности монокристаллических подложек SiC при ЭЛО структуры Si/SiC.

Практическая ценность работы:

  1. Установлена область оптимальных режимов электронно-лучевого формирования близкой к атомарно-гладкой поверхности монокристаллических подложек SiC, которая обеспечивает шероховатость менее 0,3 нм и отсутствие нарушенного слоя.

  2. Разработан технологический процесс электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC, который обеспечивает шероховатость поверхности менее 0,3 нм и отсутствие нарушенного слоя.

  3. Разработан технологический процесс получения омических контактов без термообработки на основе Ti/n-6H-SiC (1><1017 см'3) и сформированы контакты со следующими характеристиками: переходным сопротивлением 3,6><10'3 Ом-см"2 и плотностью поверхностных состояний на границе раздела порядка 1012 см'2.

Положения, выносимые на защиту

1. Механизм формирования близкой к атомарно-гладкой поверхности монокристаллических подложек SiC при ЭЛО структуры Si/SiC.

  1. Термодинамические закономерности процессов межфазного взаимодействия расплава Si с подложкой SiC при ЭЛО структуры Si/SiC, с учетом нелинейных температурных зависимостей теплофизических свойств материалов структуры.

  2. Технологический маршрут формирования поверхности монокристаллических подложек SiC и режимы ЭЛО структуры Si/SiC.

  3. Экспериментальные закономерности влияния режимов ЭЛО на характеристики морфологии поверхности SiC и электрофизические характеристики контактов Ti/n-6H-SiC(lxl017cM-3).

Реализация результатов работы

Результаты диссертационной работы использованы в госбюджетных научно-исследовательских работах кафедры ТМ и НА в 2005 г. «Разработка и исследование технологических процессов изготовления контактов к SiC методами импульсной термообработки» (№ гос. регистрации 01200502598) и в 2008-2009 гг. «Разработка теоретических основ построения микросистем, наносистем и программно-аппаратных комплексов для мониторинга окружающей среды» (внутр. №13050).

Результаты диссертационной работы внедрены на предприятиях: ЗАО «Завод Кристалл» (г. Таганрог), ОАО «НПП КП «Квант» (г. Ростов-на-Дону) а также в учебный процесс на кафедре ТМ и НА ТТИ ЮФУ.

Апробация работы

Международном семинаре «Карбид кремния и родственные материалы» (ISSCRM-2009), Великий Новгород, 2009; Международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника», Нижний Новгород, 2007; Международной научно-технической конференции «Микро- и нанотехнологии в электронике», Приэльбрусье, 2009; Международных научных конференциях «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии», Кисловодск, 2005, 2006; Ежегодных научных конференциях студентов и аспирантов базовых кафедр южного научного центра РАН, Ростов-на-Дону, 2005-2007, 2009; Международных научно-технических конференциях по фотоэлектронике и приборам ночного видения, Москва, 2006, 2007; Международной научно-технической школе-конференции «Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике», Москва, 2006; Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика», Зеленоград, 2006; Российской студенческой научно-технической конференции «Вакуумная техника и технология», Казань, 2007; Всероссийском смотре-конкурсе научно-технического творчества студентов высших учебных заведений «ЭВРИКА-2005», Новочеркасск, 2005; Международной научной конференции и школе-семинаре «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники», Дивноморское, 2006; Всероссийской научной конференции студентов и аспирантов «Техническая кибернетика, радиоэлектроника и системы управления», Таганрог, 2006; Научно-технической конференции профессорско-преподовательского

состава, аспирантов и сотрудников Таганрогского государственного радиотехнического университета (ТРТУ), Таганрог, 2006.

Результаты работы отмечены медалью и дипломами ряда конференций и конкурсов научных работ: открытого конкурса Министерства образования на лучшую научную работу студентов по естественным, техническим и гуманитарным наукам в высших учебных заведениях Российской Федерации (Москва, в 2007 - медаль и диплом; в 2006 - диплом); Международной научно-технической школы-конференции «Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию в электронике» (Москва, 2006); Всероссийского смотра-конкурса научно-технического творчества студентов (Новочеркасск, 2005).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 24 печатные работы, из них 3 публикации в журналах, входящих в Перечень ВАК. Во ВНИИТЦ зарегистрировано 2 отчета по НИР.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения - общих выводов, списка использованной литературы. Объем работы составляет 171 страниц, включая 57 рисунков, 23 таблицы, 73 формулы и 175 наименований списка использованной литературы, а также 3 приложения.

Похожие диссертации на Разработка технологических основ электронно-лучевого формирования поверхности монокристаллических подложек SiC для создания микро- и наноструктур