Электронная библиотека диссертаций и авторефератов России
dslib.net
Библиотека диссертаций
Навигация
Каталог диссертаций России
Англоязычные диссертации
Диссертации бесплатно
Предстоящие защиты
Рецензии на автореферат
Отчисления авторам
Мой кабинет
Заказы: забрать, оплатить
Мой личный счет
Мой профиль
Мой авторский профиль
Подписки на рассылки



расширенный поиск

Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС Гомжин Иван Васильевич

Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС
<
Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС
>

Данный автореферат диссертации должен поступить в библиотеки в ближайшее время
Уведомить о поступлении

Диссертация - 480 руб., доставка 10 минут, круглосуточно, без выходных и праздников

Автореферат - 240 руб., доставка 1-3 часа, с 10-19 (Московское время), кроме воскресенья

Гомжин Иван Васильевич. Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС : Дис. ... канд. техн. наук : 05.27.01 : Воронеж, 2003 208 c. РГБ ОД, 61:04-5/1609

Содержание к диссертации

ВВЕДЕНИЕ 4

ГЛАВА 1. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ

ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ 11

  1. Анизотропное травление 12

  2. Удаление и травление фоторезиста 30

  3. Влияние плазменных обработок на зарядовые характеристики структур 38

1.4. Безэлектродный разряд низкого давления 45

ГЛАВА 2. ПЛАЗМОХРІМИЧЕСКОЕ УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА

ВНЕ ЗОНЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ РАЗРЯДА 58

  1. Особенности ПХУ фоторезиста в системах с индивидуальной обработкой пластин 58

  2. Исследование характера локализации плазмы при высоком давлении 65

  3. Разработка реактора высокого давления для ПХУ фоторезиста с пластин большого диаметра 75

ГЛАВА 3. РЕАКТОР ВЫСОКОПЛОТНОЙ ПЛАЗМЫ И

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ РЕАЛИЗУЕМЫЕ В НЕМ 99

  1. Исследование ВЧ-разряда низкого давления в системе с индукторным возбуждением 99

  2. Оптимизация технологического процесса ПХУ фоторезиста в реакторе высокоплотной плазмы 113

  3. Удаление органо - неорганических остатков после реактивно — ионного травления технологических слоев 128

3.4. Изотропное травление диэлектрика 133

ГЛАВА 4. РЕАКТОР И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ

ИОШО-СТИМУЛИРОВАННОГО ТРАВЛЕНИЯ 138

  1. Реактор с активизацией газа при низком давлении и независимым смещением на подложке 138

  2. Разработка технологического процесса анизотропного травления кремния 144

  3. Теоретический расчет профиля травления канавок в кремнии...154

4.4. Сухое проявление фоторезистивных пленок 160

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ 170

ЛИТЕРАТУРА 173

ПРИЛОЖЕНИЯ 187

Приложение 1. Описание электрических схем макетов устройств для

измерения плавающего потенциала зонда и контактных измерений

потенциала поверхности образцов 188

Приложение 2. Программы для ЭВМ 193

  1. Программа расчета профиля травления канавок в кремнии 194

  2. Программа расчета глубины травления канавки в кремнии в зависимости от ее ширины 196

Приложение 3. Акты производственных испытаний технологических

процессов и установок 197

3.1. Протокол аттестационных испытаний процесса
плазмохимического удаления ф/р на установке

"Плазма 150М" 198

  1. Акт испытаний установки удаления фоторезиста, разработанной в рамках ОКР "Плазма— 150 А" 202

  2. Предварительный отчет по испытаниям установки удаления фоторезиста "Плазма— 150 А" по технологическим параметрам 204

Введение к работе

Актуальность темы. Плазменная технология или технология сухого травления — один из новейших методов обработки полупроводниковых пластин, получивший широкое практическое применение в производстве СБИС. В настоящее время наступил новый этап в развитии плазменных методов обработки. Производство СБИС высокой степени интеграции (1М и выше), с размерами микроструктур менее 1мкм, ставит перед разработчиками новые задачи, которые невозможно решить в традиционных системах плазменной обработки. К таким задачам в первую очередь относятся:

1. Удаление фоторезиста без радиационных повреждений обрабатываемой
поверхности.

Проблема заключается не столько в снятии фоторезиста, сколько в том, чтобы не повредить находящуюся под ним структуру, так как обработка полупроводниковых пластин в традиционных плазменных системах приводит к ухудшению свойств границы раздела Si-SiC>2 и пробою тонкого (<20 нм) подзатворного диэлектрика.

2. Сухое проявление фоторезиста.

Использование традиционного однослойного резиста даёт низкое качество субмикронной литографии. Одной из основных задач субмикронной литографии является достижение необходимой разрешающей способности на подложках с развитым поверхностным рельефом, когда слой резиста имеет значительные изменения по толщине. Проблема, сдерживающая широкое применение для этих целей плазменных технологий, заключается в недостаточной проработке технологических процессов и реакторных систем для их реализации.

3. Травление глубоких канавок в кремнии.

Производство СБИС с уровнем интеграции 4М и выше требует создания микроструктур сложной архитектоники, что приводит к необходимости решения такой сложной технологической проблемы, как формирование в

монокристаллическом кремнии канавок с глубиной порядка 5 -г 10 мкм и вертикальными стенками.

При повышении степени интеграции ИС и переходе к технологии формирования элементов СБИС субмикронных размеров на первое место выходят требования по снижению дефектности в обрабатываемых структурах ИС. При этом одновременно возрастают требования по повышению анизотропии и селективности при сохранении высокой скорости обработки на пластинах большого диаметра. Эти требования являются противоречивыми. Высокая анизотропия достигается направленной ионной бомбардировкой, а в существующих процессах ионы, как правило, обладают высокой энергией и вследствие распыления слоев снижают селективность травления. Кроме того, высокоэнергетическая ионная бомбардировка приводит к дефектам в обрабатываемых структурах.

Вследствие этого данная работа, направленная на поиск технических решений по созданию технологических процессов и реакторных систем плазменной обработки низкоэнергетическими химически активными частицами при расположении пластины вне зоны локализации плазмы или частицами с регулируемой энергией, является весьма актуальной для производства СБИС.

Диссертация является частью комплексных исследований, проводимых в ОАО «НИИПМ» в рамках научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ: «Кальций» «Исследование применяемости контроля ряда технологических параметров в установках плазмохимического травления» (Гос. per. № 46911), «Континент 212-1» «Создание экспериментальных образцов реакторных модулей для индивидуального плазмохимического, реактивно-ионного, ионного травления плёнок и удаления фоторезиста»(Гос. per. №У01062), «Корпус» «Исследование и разработка технологического процесса для анизотропного глубинного травления монокремния» (Гос. per. №46911), «Комплекс 212» «Разработка средств контроля и систем управления основными технологическими параметрами в реакторах ПХТ» (Гос. per. №

б У33277), «Плазма- 150А» «Разработка и изготовление установки удаления фоторезиста для технологии СБИС субмикронного уровня», проводимой в рамках совместной российско-белорусской научно-технической программы «Создание и серийное производство автоматизированных систем управления бортовой радиолокационной аппаратуры, изделий бытовой радио- и электротехники», подпрограмма «Разработка и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых и аналоговых интегральных микросхем для аппаратуры специального назначения и двойного применения», раздел «Технология для создания интегральной элементной базы», а также в рамках договоров с НПО «Интеграл» (г. Минск) и ОАО «НИИМЭ и Микрон» (р, Москва, ґ. Зеленоград).

Цель работы - разработка и оптимизация новых технологических процессов и реакторов с использованием плазмы для удаления фоторезиста, сухого проявления фоторезиста и травления глубоких канавок в кремнии, пригодных для технологии формирования элементов СБИС и обеспечивающих минимальные радиационные повреждения при высокой скорости, анизотропности и селективности травления, оснащение ими технологических установок для массового производства ИС.

В соответствии с целью в работе были поставлены следующие задачи:

  1. Исследовать кинетику плазменного удаления фоторезиста вне зоны локализации разряда и разработать реактор для обработки пластин в послесвечении плазмы высокочастотного разряда;

  2. Исследовать влияние технологических и конструктивных параметров системы с разделением зон активации газа и реакции на устойчивость пространственной локализации плазмы и потенциал в зоне обработки;

  3. Определить возможные причины пробоев тонкого (< 13 нм) оксида кремния при удалении фоторезиста вне зоны локализации разряда;

  4. Разработать и оптимизировать технологические процессы: удаления фоторезистивных плёнок без радиационных повреждений обрабатываемой

поверхности, удаления полимерных плёнок после плазмохимического травления и изотропного травления диэлектрика;

  1. Исследовать особенности высокочастотного возбуждения и поддержания высокоплотной низкотемпературной плазмы при пониженном давлении, разработать реактор для ионно-стимулированного травления;

  2. Исследовать технологические особенности анизотропного травления кремния и фоторезиста, разработать технологические процессы травления глубоких канавок в кремнии и сухого проявления фоторезиста;

  3. Разработать математическую модель формирования профиля травления канавок в кремнии при ионно-стимулированном травлении;

Научная новизна.

  1. Предложен способ, изучена кинетика процесса и оптимизирована технология высокоэффективного удаления фоторезиста вне зоны локализации разряда.

  2. Предложена методика оценки уровня радиационных повреждений обрабатываемой поверхности при плазмохимическом удалении (ПХУ) фоторезиста вне зоны локализации разряда и установлена корреляция частоты пробоев тонкого (< 13 нм) оксида кремния с потенциалом плазмы в зоне обработки.

  3. Разработана методика измерения контактным методом потенциалов, возникающих на образцах в процессе удаления фоторезиста с их поверхности.

  4. Разработана модель формирования профиля травления канавок в кремнии при ионно-стимулированном травлении.

  5. Разработан технологический процесс высокоскоростного высокоанизотропного травления глубоких канавок в кремнии без использования полимеробразующих газов, удовлетворяющий требованиям производства ИС высокой степени интеграции (4М и выше).

  6. Показано, что при формировании структур с размерами порядка 0,5 мкм при использовании метода локального силилирования экспонированных пленок

фоторезиста сухое проявление фоторезиста необходимо проводить в реакторе с высокоэффективным возбуждением плазмы при давлении 3-Ю'2 Па и смещении на подложкодержателе -60 -г -100 В.

7. Установлено, что тлеющий разряд, возбуждаемый в индукторе на частоте 13,56 МГц в диапазоне давления 5-Ю"2 ч- 130 Па, может существовать в форме безэлектродного кольцевого разряда («Н»- разряда) при выполнении условия:

nnD где: U — напряжение на индукторе, В; п - количество витков индуктора; D — внутренний диаметр индуктора, см.

Практическая значимость работы.

В результате проведённых исследований разработаны следующие технологические процессы и реакторы для индивидуального плазмохимического травления:

  1. Технологический процесс и реактор для скоростного удаления фоторезиста в потоке активированного в плазме кислорода, установленный на установках «Плазма НД 125Ф», «Плазма НД 125ПМ»;

  2. Технологический процесс и реактор для удаления фоторезиста в потоке активированной смеси кислорода с аргоном без пробоя тонкого (<13 нм) оксида кремния, установленный на установки «Плазма 150М» и «Плазма НД 150 МФ»;

  3. Реактор высокоплотной плазмы, установленный на автоматической установке «Плазма 150А», позволяющий реализовать следующие технологические процессы: скоростного равномерного удаления фоторезиста с пластин диаметром 150 мм без радиационных повреждений обрабатываемой поверхности, удаления полимерных остатков после плазмохимического травления, изотропного травления контактных окон в диэлектрике;

  4. Реактор и технологические процессы травления канавок в кремнии и сухого проявления фоторезиста.

5. Представленные в работе программы для расчета профиля травления канавок в кремнии могут быть использованы при разработке технологических процессов ионно-стимулированного травления материалов.

Внедрение результатов работы.

Результаты работы использованы при разработке и изготовлении установок ОАО «НИИПМ» г. Воронеж: «Плазма НД 125Ф», «Плазма 150М», «Плазма НД 125ПМ», «Плазма НД 150МФ», «Плазма 150А», внедрённых на предприятиях, осуществляющих серийное производство ИС: НИИИЭТ (г. Воронеж), ЗАО «ВЗПП - Микрон» (г. Воронеж), НПО «Интеграл» (г. Минск), ОАО «НИИМЭ и «Микрон» (г. Москва, Зеленоград).

Основные результаты и положения, выносимые на защиту.

1. Тлеющий разряд, возбуждаемый в индукторе на частоте 13,56 МГц в
диапазоне давления 5-10' -J- 130 Па, может существовать в форме
безэлектродного кольцевого разряда при выполнении условия: U/mtD > 7,5 ,
где: U - напряжение на индукторе, В; п — количество витков индуктора; D —
внутренний диаметр индуктора, см.

  1. При формировании структур с размерами порядка 0,5 мкм с использованием метода локального силилирования экспонированных на длине волны 336 нм пленок фоторезиста сухое проявление необходимо проводить в реакторе с высокоэффективным возбуждением плазмы при давлении порядка 3-10" Па и напряжении низкочастотного смещения на подложкодержателе -60 -f- -100 В.

  2. Модель формирования профиля травления канавок в кремнии, учитывающая влияние ионной бомбардировки поверхности, результаты расчетов.

  3. Способы удаления фоторезиста с тонкого оксида кремния (толщиной 13 нм) без электрических пробоев и внесения встроенного заряда в полупроводниковые структуры, при реализации которых технологический процесс осуществляется вне зоны локализации разряда с контролем потенциала пространства в зоне обработки.

5. Новая конструкция реактора высокоплотной плазмы, работающего на
частоте 13,56 МГц, позволяющий реализовать следующие технологические
процессы обработки пластин диаметром 150 мм:

-удаление фоторезиста без радиационных повреждений обрабатываемой

поверхности со скоростью до 4 мкм/мин и неравномерностью менее ± 5%;

-удаление полимерных остатков после плазмохимического травления с

селективностью более 1000:1 по отношению к нижележащим слоям

поликремния, Si3N4, Si02;

-изотропного травления контактных окон в БФСС со скоростью более

0,3 мкм/мин.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на: VI конференции молодых учёных и специалистов «Разработка и изготовление твердотельных изделий электронной техники» (Москва, 1985 г.); второй Всероссийской конференции с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 1995г.); Юбилейной 2-ой научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ и «Микрон» «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем» (г. Москва, Зеленоград. 1999г.); Осенней сессии Межотраслевой 5-ой научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ и «Микрон» «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем» (г. Гурзуф, 2002 г.); Межотраслевой 6-ой научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ и «Микрон» «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем» (г. Москва, Зеленоград, 2003 г.); Региональной научно-технической конференции «Системы и элементы роботизированных комплексов» (г. Воронеж, 2003 г). Публикации.

По теме диссертации опубликовано 26 работ. Личный вклад автора. Автором самостоятельно получены, обработаны и проанализированы все основные результаты, выносимые на защиту.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырёх глав и приложения. Общий объём работы 208 страниц, в том числе 85 рисунков, 8 таблиц и список литературы из 135 наименований.

Похожие диссертации на Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС