Содержание к диссертации
стр.
Введение 5
ГЛАВА ПЕРВАЯ.
ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР 7
1. Фазовые равновесия в системах TL - SB ,
TL-Te , SB-Te 8
2. Фазовые равновесия в тройных системах jL~B ~ X
ГЛАВА ВТОРАЯ.
СИНТЕЗ ТЕМУРИДОВ ТАПЛИЯ,СУРЬМЫ И СОЕДИНЕНИЙ TLBm(B*))(&
ПРИГОТОВЛЕНИЕ СПЛАВОВ ИССЛВДЕМЫХ СИСТЕМ
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ 32
1. Синтез исходных соединений,приготовление
сплавов исследуемых систем 40
2. Экспериментальные методы исследования
фазовых равновесий 42
ГЛАВА ТРЕТЬЯ.
ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ В ТРОЙНОЙ СИСТЕМЕ Tl-Sb'Te 52
1. Квазибинарные и стабильные ниже
солидуса разрезы системы IL - 56 ~ 1е 53
2. Сложные политермические разрезы тройной
системы 71-SB-Te 66
3. Поверхность ликвидуса системы IL~Sb~ 1е 80
ГЛАВА ЧЕТВЕРТАЯ
ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПРОМЕЖУТОЧНЫХ ФАЗ
СИСТЕМ Tl-56 - ІЄ # ТЕШЮТЫ И ЭНТРОПИИ ПЛАВЛЕНИЯ
СОЕДИНЕНИИ ТИПА TLS6(Bi-)Xz 86
1. Термодинамические исследование системы Ti~ S6 ~ \В
методом э.д.с 86
2. Теплоты и энтропии плавления некоторых
промежуточных фаз системы IL~d ~ X ЮО
ГЛАВА ПЯТАЯ.
ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ В НЕКОТОРЫХ СИСТЕМАХ
НА ОСНОВЕ СОЕДИНЕНИЙ Т1В*Хг 107
1. Фазовые равновесия в системах
TLbLSes - TLBLTe2 Ю7
2. Фазовые равновесия в системах IL 3nXz ~ ILSBXZ
3. Фазовые равновесия в системах TL95BSe6 (Те6) —
Tl9BiSe6(Tea) И5
Выводы 120
Литература . 123
- 5' -
Введение к работе
Развитие различных областей новой техники.-предъявляет все возрастающие требования к материалами частности полупроводниковым.
Разработка технологии нового полупроводникового материала с необходимым комплексом свойств и его применение в электронной технике требует проведения большого цикла исследований,первым этапом которых является [1^ исследование фазовых равновесий в различных системах.Значение исследования фазовых равновесий заключается в установлении существования наличия области гомогенности и характера образования новых промежуточных фаз.
Наряду с фазовыми диаграммами,важное значение в разработке оптимальной технологии получения и установлении условий эксплуатации полупроводниковых материалов имеют их термодинамические характ еристики.
Халькогениды относятся к числу наиболее перспективных полупроводниковых материалов.В последние два десятилетия опубликовано огромное число работ по изучению фазовых равновесий в двойных, тройных и более сложных халькогенидных системах,открыты новые классы соединений металлов с халькогенами [2 - 12] .
В то же время термодинамические исследования этих систем сильно отстают от изученности их диаграмм состояния. В литературе [2,6-8,13-15] имеются термодинамические данные, в основном, двойных фаз систем металл-халькоген.Тройные и более сложные системы практически не изучены.
В последние годы на кафедре физической и коллоидной химии Азербайджанского государственного университета проводится систематическое исследование сложных систем на основе халькогенидов таллия.В этих работах [16-24] путем введения метода э.д.с. в число экспериментальных методов исследования фазовых равновесий
- б -
осуществлено комплексное исследование фазовых равновесий и термодинамических свойств исследуемых систем. Согласно результатам [16 - 24]> метод э.д.е.,ранее широко применяемый [25,26} для исследования двойных металлических и полупроводниковых систем,является весьма эффективным и для изучения тройных систем.Благодаря чувствительности значений э.д.с. концентрационных элементов и изменениям фазового состояния систем удается с высокой точностью определить границы фазовых областей на диаграммах состояния. Из результатов измерений э.д.с,диаграммы состояния исследуемой системы нетрудно установить реакции потенциалобразования и исходя из них рассчитать интегральные термодинамические функции промежуточных соединений.
Настоящая работа является продолжением этих исследований и посвящена изучению фазовых равновесий и термодинамических свойств тройной системы TL — S>-Te .Также изучено несколько систем, на основе соединений типа TLBV Х2(3^~ SB, в>1; Х- S ; Se; Те) определены теплоты и энтропия плавления этих соединений.
Из нижеприведенного литературного обзора (Глава I) следует недостаточность и противоречивость имеющихся данных по указанным системам.
